[发明专利]引线框架封装及其形成方法在审

专利信息
申请号: 201310273425.5 申请日: 2013-07-02
公开(公告)号: CN103531558A 公开(公告)日: 2014-01-22
发明(设计)人: R.奥特伦巴;K.席斯 申请(专利权)人: 英飞凌科技股份有限公司
主分类号: H01L23/488 分类号: H01L23/488;H01L23/367;H01L21/48;H01L21/60
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 胡莉莉;刘春元
地址: 德国瑙伊比*** 国省代码: 德国;DE
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摘要: 发明涉及引线框架封装及其形成方法。根据本发明的实施例,半导体器件其包括:被部署在引线框架上方的半导体芯片和被部署在半导体芯片上方的夹片。半导体芯片的主表面包括接触焊盘和控制接触焊盘。接触焊盘具有沿着控制接触焊盘的第一侧的第一部分和沿着控制接触焊盘的相对的第二侧的第二部分。夹片将第一部分和第二部分与引线框架的第一引线电耦合。线接合将控制接触焊盘与引线框架的第二引线电耦合。
搜索关键词: 引线 框架 封装 及其 形成 方法
【主权项】:
一种半导体器件,其包括:半导体芯片,其被部署在引线框架上方,其中半导体芯片的主表面包括接触焊盘和控制接触焊盘,其中接触焊盘具有沿着控制接触焊盘的第一侧的第一部分和沿着控制接触焊盘的相对的第二侧的第二部分;夹片,其被部署在半导体芯片上方,其中夹片将第一部分和第二部分与引线框架的第一引线电耦合;以及线接合,其将控制接触焊盘与引线框架的第二引线电耦合。
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