[发明专利]引线框架封装及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体器件，其包括：

半导体芯片，其被部署在引线框架上方，其中半导体芯片的主表面包括接触焊盘和控制接触焊盘，其中接触焊盘具有沿着控制接触焊盘的第一侧的第一部分和沿着控制接触焊盘的相对的第二侧的第二部分；

夹片，其被部署在半导体芯片上方，其中夹片将第一部分和第二部分与引线框架的第一引线电耦合；以及

线接合，其将控制接触焊盘与引线框架的第二引线电耦合。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

夹片关于控制接触焊盘对称部署。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

夹片将第一部分和第二部分与引线框架的第三引线电耦合。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，

第二引线被部署在第一引线与第三引线之间。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

第二引线在垂直于第一引线的方向上取向。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

夹片包括铜。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

夹片与半导体芯片至少70%的主表面重叠。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

夹片具有至少0.1 mm的厚度。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

半导体芯片包括感测接触焊盘，并且其中感测接触焊盘通过另一个线接合电耦合至引线框架的第四引线。

10.根据权利要求9所述的半导体器件，其中，

第四引线在垂直于第一引线的方向上取向。

11.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

半导体芯片是分立功率晶体管，其中接触焊盘电耦合至分立功率晶体管的源极/漏极区域，并且其中控制接触焊盘电耦合至分立功率晶体管的控制区域。

12.根据权利要求11所述的半导体器件，其中，

分立功率晶体管是硅基晶体管。

13.根据权利要求11所述的半导体器件，其中，

分立功率晶体管是氮化镓基晶体管。

14.根据权利要求1所述的半导体器件，进一步包括在引线框架上方部署的另一个半导体芯片，所述另一个半导体芯片通过夹片电耦合至引线框架的第三引线。

15.一种电子器件，其包括：

引线框架，其具有在第一平面中部署的多个引线；

半导体芯片，其被部署在引线框架上方；

夹片，其被部署在半导体芯片上方，所述夹片沿着第一平面上的线是对称的，所述夹片将半导体芯片电耦合至多个引线的第一引线和多个引线的第二引线；

接合焊盘，其被部署在多个引线的第三引线处；以及

接合线，其将半导体芯片电耦合至接合焊盘。

16.根据权利要求15所述的电子器件，其中，

第一平面上的线平行于第一引线。

17.根据权利要求15所述的电子器件，其中，

半导体芯片具有第一接触焊盘和控制接触焊盘，其中第一接触焊盘具有沿着控制接触焊盘的第一侧的第一部分和沿着控制接触焊盘的相对的第二侧的第二部分，并且其中夹片将第一接触焊盘与第一引线和第二引线电耦合。

18.根据权利要求17所述的电子器件，其中，

夹片关于控制接触焊盘对称部署。

19.根据权利要求17所述的电子器件，其中，

夹片将第一部分与第一引线电耦合，并且将第二部分与第二引线电耦合。

20.根据权利要求19所述的电子器件，其中，

第二引线被部署在第一引线与第三引线之间。

21.根据权利要求15所述的电子器件，其中，

半导体芯片具有接触焊盘、第一控制接触焊盘和第二控制接触焊盘，其中接触焊盘被部署在第一控制接触焊盘与第二控制接触焊盘之间，并且其中夹片将接触焊盘与第一引线和第二引线电耦合。