[发明专利]一种功率半导体芯片栅极区有效
| 申请号： | 201310259611.3 | 申请日： | 2013-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN103337515A | 公开（公告）日： | 2013-10-02 |
| 发明（设计）人： | 刘国友;覃荣震;黄建伟;罗海辉 | 申请（专利权）人： | 株洲南车时代电气股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 412001 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种功率半导体芯片栅极区，所述栅极区包括位于芯片元胞区内的主栅极区、包围所述主栅极区的第一栅极条，位于所述主栅极区和所述第一栅极条之间的栅电阻区，其中，所述栅电阻内设置有至少两个并联的子电阻，所述子电阻的一端与所述主栅极区连接，所述子电阻的另一端与所述第一栅极条连接。该栅极区结构避免了因一个栅电阻损坏，整个芯片不能正常工作或者损坏的风险。而且采用多个电阻并联的结构可以极大地降低由于栅电阻的误差所带来的电阻阻值巨大变化，保证了芯片间的开关速度的均匀性及芯片间的均流特性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 功率 半导体 芯片 栅极 | ||
【主权项】：
一种功率半导体芯片栅极区，其特征在于，包括位于芯片元胞区内的主栅极区、包围所述主栅极区的第一栅极条，位于所述主栅极区和所述第一栅极条之间的栅电阻区，其中，所述栅电阻区内设置有至少两个子电阻，每个所述子电阻的一端与所述主栅极区连接，所述子电阻的另一端与所述第一栅极条连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株洲南车时代电气股份有限公司，未经株洲南车时代电气股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310259611.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
