[发明专利]一种功率半导体芯片栅极区有效
| 申请号： | 201310259611.3 | 申请日： | 2013-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN103337515A | 公开（公告）日： | 2013-10-02 |
| 发明（设计）人： | 刘国友;覃荣震;黄建伟;罗海辉 | 申请（专利权）人： | 株洲南车时代电气股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 412001 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 功率 半导体 芯片 栅极 | ||
1.一种功率半导体芯片栅极区，其特征在于，包括位于芯片元胞区内的主栅极区、包围所述主栅极区的第一栅极条，位于所述主栅极区和所述第一栅极条之间的栅电阻区，其中，所述栅电阻区内设置有至少两个子电阻，每个所述子电阻的一端与所述主栅极区连接，所述子电阻的另一端与所述第一栅极条连接。
2.根据权利要求1所述的栅极区，其特征在于，还包括至少一条位于所述第一栅极条外围的第二栅极条，所述第二栅极条包括第一端和第二端，所述第一端与所述第一栅极条连接，所述第二端在所述芯片元胞区内自由延伸。
3.根据权利要求2所述的栅极区，其特征在于，所述第二栅极条为2条以上，所述第二栅极条在所述栅电阻区内关于所述栅极区的中心呈中心对称分布，或者，每相邻两个所述第二栅极条之间的夹角相等。
4.根据权利要求1-3任一项所述的栅极区，其特征在于，所述栅极区还包括位于所述芯片元胞区最外围且包围所述芯片元胞区的边缘栅极条，至少一条所述第二栅极条的第二端与所述边缘栅极条相接。
5.根据权利要求1-3任一项所述的栅极区，其特征在于，所述主栅极区的形状为圆形、长方形或正多边形。
6.根据权利要求5所述的栅极区，其特征在于，所述主栅极区的面积为0.5mm2～2mm2。
7.根据权利要求1-3任一项所述的栅极区，其特征在于，所述第一栅极条的形状与所述主栅极区的形状相似。
8.根据权利要求1所述的栅极区，其特征在于，所述第一栅极条的宽度范围在10～150μm之间。
9.根据权利要求1所述的栅极区，其特征在于，所述栅电阻区的区域宽度范围在200～1000μm之间。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株洲南车时代电气股份有限公司，未经株洲南车时代电气股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310259611.3/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
