[发明专利]半导体装置及其制作方法

摘要

本发明公开一种半导体装置及其制作方法。半导体装置包括鳍状突起结构、绝缘结构、栅极结构、以及外延结构。鳍状突起结构延伸出基板的表面且具有一顶面以及二侧面。绝缘结构环绕鳍状突起结构。栅极结构包覆部分鳍状突起结构的顶面以及二侧面，以及覆盖部分绝缘结构。其中位于栅极结构下方的绝缘结构具有一第一顶面，位于栅极结构两侧的绝缘结构具有一第二顶面，且第一顶面高于第二顶面。外延结构设置于栅极结构的一侧且直接接触鳍状突起结构。

主权项

1.一种半导体装置，包括：鳍状突起结构，延伸出于一基板的一表面，其中该鳍状突起结构具有一顶面以及二侧面；绝缘结构，环绕该鳍状突起结构；栅极结构，包覆部分该鳍状突起结构的该顶面以及该些侧面，以及覆盖部分该绝缘结构，其中位于该栅极结构下方的该绝缘结构具有一第一顶面，位于该栅极结构两侧的该绝缘结构具有一第二顶面，且该第一顶面高于该第二顶面；以及外延结构，设置于该栅极结构的一侧，且直接接触该鳍状突起结构，所述半导体装置另包括一凹槽，形成于该鳍状突起结构的一端，其中该外延结构会填满该凹槽，其中该外延结构的底面浅于该绝缘结构的底面，绝缘结构的第一顶面与第二顶面之间为第一深度，该外延结构的底面具有一第二深度，且该第二深度深于该第一深度。