[发明专利]半导体装置及其制作方法

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

鳍状突起结构，延伸出于一基板的一表面，其中该鳍状突起结构具有一顶面以及二侧面；

绝缘结构，环绕该鳍状突起结构；

栅极结构，包覆部分该鳍状突起结构的该顶面以及该些侧面，以及覆盖部分该绝缘结构，其中位于该栅极结构下方的该绝缘结构具有一第一顶面，位于该栅极结构两侧的该绝缘结构具有一第二顶面，且该第一顶面高于该第二顶面；以及

外延结构，设置于该栅极结构的一侧，且直接接触该鳍状突起结构，

所述半导体装置另包括一凹槽，形成于该鳍状突起结构的一端，其中该外延结构会填满该凹槽，

其中该外延结构的底面浅于该绝缘结构的底面，绝缘结构的第一顶面与第二顶面之间为第一深度，该外延结构的底面具有一第二深度，且该第二深度深于该第一深度。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其中该第一顶面与该第二顶面间的差值介于100埃至250埃之间。

3.如权利要求1所述的半导体装置，其中该栅极结构为一金属栅极结构。

4.如权利要求1所述的半导体装置，其中位于该栅极结构下方的该绝缘结构具有一侧壁，且该外延结构直接接触该侧壁。

5.如权利要求1所述的半导体装置，其中该外延结构的底面与该绝缘结构的底面间的差值介于100埃至250埃之间。

6.如权利要求1所述的半导体装置，其中该外延结构包括硅锗、硅磷或硅磷碳。

7.如权利要求1所述的半导体装置，另包括一间隙壁，设置于该栅极结构的一侧壁上。

8.如权利要求1所述的半导体装置，另包括：

另一外延结构，设置于该栅极结构的另一侧，且直接接触该鳍状突起结构；

通道区域，邻近于该鳍状突起结构的该顶面以及该些侧面，且位于该外延结构以及该另一外延结构间。

9.一种半导体装置的制作方法，包括：

形成一鳍状突起结构，延伸出于一基板的一表面，其中该鳍状突起结构具有一顶面以及二侧面；

形成一绝缘结构，环绕该鳍状突起结构；

形成一栅极结构，包覆部分该突起结构的该顶面以及该些侧面，以及覆盖部分该绝缘结构；

蚀刻暴露出于该栅极结构的该绝缘结构，使得该绝缘结构的顶面至一第一深度；

于该栅极结构一侧的该鳍状突起结构内形成一凹槽；以及

形成一外延结构，以填满该凹槽，其中该外延结构的底面具有一第二深度，且该第二深度深于该第一深度。

10.如权利要求9所述的半导体装置的制作方法，该绝缘结构为一浅沟槽绝缘结构。

11.如权利要求9所述的半导体装置的制作方法，其中蚀刻该绝缘结构的步骤包括湿蚀刻或干蚀刻。

12.如权利要求9所述的半导体装置的制作方法，其中该栅极结构为一虚置栅极结构。

13.如权利要求9所述的半导体装置的制作方法，其中形成该凹槽的步骤包括湿蚀刻或干蚀刻。

14.如权利要求9所述的半导体装置的制作方法，该外延结构包括硅锗、硅磷或硅磷碳。

15.如权利要求9所述的半导体装置的制作方法，在蚀刻该绝缘结构前，另包括形成一间隙壁，设置于该栅极结构的侧壁上。

16.如权利要求15所述的半导体装置的制作方法，其中形成该间隙壁的步骤包括：

全面沉积一材料层，以顺向性地覆盖该栅极结构以及该鳍状突起结构；以及

蚀刻该材料层，直至暴露出该绝缘结构。

17.如权利要求9所述的半导体装置的制作方法，另包含：

沉积一层间介电层，以围绕该栅极结构；

移除该栅极结构，以留下一沟槽；

形成一栅极介电层，以覆顺向性地覆盖该沟槽的侧壁及底部；以及形成一导电层，以填满该沟槽。