[发明专利]半导体装置及其制造方法

摘要

本发明提高一种能够在防止在集合配置的元件分离用沟道结构的最外周部产生裂缝的半导体装置。该半导体装置具备形成在半导体基板的一主面的元件分离用沟道（30）、形成在元件分离用沟道（30）内的绝缘物（120）、被元件分离用沟道（30）包围的元件形成区域（38）以及形成在元件形成区域（38）的半导体元件，其中，所述元件分离用沟道（30）具备在X方向上延伸的元件分离用沟道（363）；在Y方向上延伸的元件分离用沟道（361、362）；以及在从X方向以角度θ(0°＜θ＜90°)倾斜的方向上延伸的元件分离用沟道（365、366）。

主权项

一种半导体装置，具备半导体基板、具有在所述半导体基板的一主面二维集合而配置的元件分离用沟道的元件分离用沟道结构、形成在所述元件分离用沟道内的绝缘物、被所述元件分离用沟道包围的元件形成区域以及形成在所述元件形成区域的半导体元件，其特征在于，所述元件分离用沟道具备：一方的第1元件分离用沟道，具有在第1方向上延伸的相互对置的2个边；另一方的第1元件分离用沟道，具有在所述第1方向上延伸的相互对置的2个边，与所述一方的第1元件分离用沟道在与所述第1方向正交的第2方向上分离而配置；第2元件分离用沟道，具有与所述一方的第1元件分离用沟道的一个边连接并且在所述第2方向上延伸的相互对置的2个边；以及第3元件分离用沟道，具有在从所述第1方向倾斜了角度θ的第3方向上延伸，一端与所述一方的第1元件分离用沟道的另一个边连接且另一端与所述另一方的第1元件分离用沟道连接的、相互对置的2个边，其中，0°＜θ＜90°。