[发明专利]半导体装置及其制造方法

摘要

本发明涉及增大三栅极晶体管的相邻鳍片的SiGe层之间的空间的半导体装置及其制造方法。一种方法包括：提供具有多个三栅极晶体管的衬底，晶体管的至少两个鳍片相邻，并且，鳍片的外表面上的SiGe层的上表面至少具有与任何其它鳍片不相邻的第一上表面和与另一个鳍片相邻的第二上表面；在第一上表面的全部和第二上表面的上部上进行注入；以及使用被注入表面作为掩模，对SiGe层的露出的未被注入部分进行蚀刻。一种装置包括具有多个三栅极晶体管的衬底，晶体管的鳍片外表面上的SiGe层的上表面具有与任何其它鳍片不相邻的第一上表面和与另一个鳍片相邻的第二上表面，并且，第二上表面与第一上表面相比是凹的。

主权项

一种制造半导体装置的方法，包括以下步骤：提供具有多个三栅极晶体管的衬底，所述三栅极晶体管的至少两个鳍片相邻，并且，每一个鳍片的外表面具有带上表面和下表面的SiGe层，其中，所述SiGe层的上表面至少具有与任何其它鳍片不相邻的第一上表面和与另一个鳍片相邻的第二上表面；在整个所述第一上表面和所述第二上表面的上部上进行注入；以及使用被注入的表面作为掩模，对所述鳍片的SiGe层的露出的未被注入的部分进行蚀刻。