[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种制造半导体装置的方法，包括以下步骤：

提供具有多个三栅极晶体管的衬底，所述三栅极晶体管的至少两个鳍片相邻，并且，每一个鳍片的外表面具有带上表面和下表面的SiGe层，其中，所述SiGe层的上表面至少具有与任何其它鳍片不相邻的第一上表面和与另一个鳍片相邻的第二上表面；

在整个所述第一上表面和所述第二上表面的上部上进行注入；以及

使用被注入的表面作为掩模，对所述鳍片的SiGe层的露出的未被注入的部分进行蚀刻。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在对所述鳍片的SiGe层的露出的未被注入的部分进行蚀刻之后，去除被注入的SiGe区域。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述三栅极晶体管是PMOS晶体管和NMOS晶体管之一。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述掩模是自对准硬掩模。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述注入是倾斜离子注入。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述注入是基于N、O、Ar、Ge和C中的至少一种。

7.根据权利要求5所述的方法，其中，所述倾斜离子注入的角度在30至60度之间。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述蚀刻是采用四甲基氢氧化铵的湿法蚀刻。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述蚀刻是采用Cl2、HF、HCl和HBr中的至少一种的干法蚀刻。

10.根据权利要求1所述的方法，其中，所述蚀刻是采用偏压功率的各向异性蚀刻。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，所述偏压功率等于或高于100瓦特。

12.根据权利要求1所述的方法，其中，所述蚀刻是采用偏压功率的基于CF₄、C₂F₆和SF₆之一的各向同性蚀刻。

13.根据权利要求12所述的方法，其中，所述偏压功率等于或小于100瓦特。

14.根据权利要求1所述的方法，其中，所述蚀刻是干法蚀刻和湿法蚀刻的组合。

15.根据权利要求1所述的方法，其中，所述SiGe层的下表面和第二上表面被部分或全部地蚀刻，使得两个相邻鳍片的SiGe层之间的距离增大。

16.一种半导体装置，包括：

具有多个三栅极晶体管的衬底，所述三栅极晶体管的至少两个鳍片相邻，并且，每一个鳍片的外表面具有带上表面和下表面的SiGe层，其中，所述SiGe层的上表面至少具有与任何其它鳍片不相邻的第一上表面和与另一个鳍片相邻的第二上表面，并且，与所述第一上表面相比，所述第二上表面是凹的。