[发明专利]反熔丝结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201310124030.9 | 申请日： | 2013-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN104103624B | 公开（公告）日： | 2017-03-29 |
| 发明（设计）人： | 冯军宏;甘正浩 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/525 | 分类号： | H01L23/525;H01L29/417;H01L21/768;H01L21/283 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 吴靖靓,骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种反熔丝结构及其形成方法，所述反熔丝结构包括半导体衬底，所述半导体衬底包括反熔丝区和互连区；位于所述半导体衬底内的浅沟槽隔离结构，所述浅沟槽隔离结构将所述反熔丝区隔离成至少一个有源区；位于所述有源区全部表面的栅氧化层，所述有源区边缘位置的栅氧化层的厚度小于中间位置的栅氧化层厚度，位于所述栅氧化层表面和部分浅沟槽隔离结构表面的栅电极；位于所述半导体衬底的互连区表面的第一电极，所述第一电极与所述有源区电学连接。由于整个有源区边缘部分都会形成变薄的栅氧化层，变薄的栅氧化层的区域变大，会降低栅氧化层反熔丝进行编程的编程电压。 | ||
| 搜索关键词： | 反熔丝 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种反熔丝结构，其特征在于，包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括反熔丝区和互连区；位于所述半导体衬底内的浅沟槽隔离结构，所述浅沟槽隔离结构将所述反熔丝区隔离成至少一个有源区；位于所述有源区全部表面的栅氧化层，位于所述有源区边缘位置表面的栅氧化层的厚度小于位于有源区中间位置表面的栅氧化层厚度，位于所述栅氧化层表面和部分浅沟槽隔离结构表面的栅电极；位于所述半导体衬底的互连区表面的第一电极，所述第一电极与所述有源区电学连接；其中，在形成所述浅沟槽隔离结构的过程中，在刻蚀形成沟槽之后，在所述沟槽内形成第二热氧化层，在所述形成第二热氧化层的过程中，会在靠近浅沟槽隔离结构的位置形成湿法刻蚀难以去除的物质。
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