[发明专利]反熔丝结构及其形成方法

权利要求书

1.一种反熔丝结构，其特征在于，包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括反熔丝区和互连区；位于所述半导体衬底内的浅沟槽隔离结构，所述浅沟槽隔离结构将所述反熔丝区隔离成至少一个有源区；位于所述有源区全部表面的栅氧化层，位于所述有源区边缘位置表面的栅氧化层的厚度小于位于有源区中间位置表面的栅氧化层厚度，位于所述栅氧化层表面和部分浅沟槽隔离结构表面的栅电极；位于所述半导体衬底的互连区表面的第一电极，所述第一电极与所述有源区电学连接。

2.如权利要求1所述的反熔丝结构，其特征在于，所述有源区掺杂有N型或P型离子。

3.如权利要求2所述的反熔丝结构，其特征在于，所述有源区为重掺杂，掺杂浓度范围为1E18atom/cm²～1E20atom/cm²。

4.如权利要求1所述的反熔丝结构，其特征在于，还包括，位于所述半导体衬底内的N型或P型阱区，所述N型或P型阱区的位置至少包括反熔丝区，使得所述有源区掺杂有N型或P型离子。

5.如权利要求1所述的反熔丝结构，其特征在于，所述栅电极的材料为金属或多晶硅。

6.如权利要求5所述的反熔丝结构，其特征在于，当所述栅电极的材料为多晶硅时，所述有源区掺杂有N型或P型离子。

7.如权利要求6所述的反熔丝结构，其特征在于，所述多晶硅栅电极为重掺杂，掺杂浓度范围为1E18atom/cm²～1E20atom/cm²。

8.如权利要求1所述的反熔丝结构，其特征在于，所述有源区的俯视图形为圆形、矩形或三角形。

9.如权利要求8所述的反熔丝结构，其特征在于，当所述有源区的俯视图形为矩形时，所述矩形的宽度为当前版图设计时有源区宽度的最小设计尺寸。

10.如权利要求1所述的反熔丝结构，其特征在于，所述栅氧化层为利用热氧化工艺形成的氧化硅层。

11.一种反熔丝结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底包括反熔丝区和互连区；

在所述半导体衬底内形成浅沟槽隔离结构，所述浅沟槽隔离结构将所述反熔丝区隔离成至少一个有源区；

在所述有源区的全部表面形成栅氧化层，位于所述有源区边缘位置表面的栅氧化层的厚度小于位于有源区中间位置表面的栅氧化层厚度，在所述栅氧化层和部分浅沟槽隔离结构表面形成栅电极；

在所述半导体衬底的互连区表面的第一电极。

12.如权利要求11所述的反熔丝结构的形成方法，其特征在于，所述栅氧化层的形成工艺为热氧化工艺。

13.如权利要求12所述的反熔丝结构的形成方法，其特征在于，所述热氧化工艺为干氧化工艺或湿氧化工艺。

14.如权利要求11所述的反熔丝结构的形成方法，其特征在于，所述浅沟槽隔离结构的形成工艺为：在所述半导体衬底表面形成第一热氧化层和氮化硅层；在所述氮化硅层表面形成图形化的第一光刻胶层，以所述图形化的光刻胶层为掩膜，对所述氮化硅层、第一热氧化层和对应的半导体衬底进行刻蚀，形成沟槽；在所述沟槽内形成第二热氧化层，在所述沟槽内和氮化硅层表面形成二氧化硅，使得所述沟槽被完全填满，形成浅沟槽隔离结构；利用化学机械研磨工艺去除所述氮化硅层表面的二氧化硅；利用湿法刻蚀工艺去除所述氮化硅层和第一热氧化层。

15.如权利要求11所述的反熔丝结构的形成方法，其特征在于，当所述栅电极为多晶硅栅电极时，对所述多晶硅栅电极进行N型或P型离子掺杂。

16.如权利要求11所述的反熔丝结构的形成方法，其特征在于，还包括：在所述半导体衬底内形成N型或P型阱区，所述N型或P型阱区至少包括反熔丝区，使得所述有源区掺杂有N型或P型离子。