[发明专利]晶体管重叠电容的测试结构及其测试方法有效
| 申请号： | 201310113683.7 | 申请日： | 2013-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN104103628B | 公开（公告）日： | 2017-02-22 |
| 发明（设计）人： | 李勇;洪中山 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种晶体管重叠电容的测试结构及其测试方法，其中，晶体管重叠电容的测试方法包括提供测试结构，测试结构包括位于半导体衬底上的晶体管、第一连接结构和第二连接结构，晶体管包括位于衬底上的栅介质层、位于栅介质层上的栅极、位于栅极两侧的半导体衬底中的源区和漏区，第一连接结构位于源区表面且连接源区，第二连接结构位于漏区表面且连接漏区，其中，源区或漏区还包括位于栅介质层下的重叠区；测试获取第一连接结构与栅极之间的第一电容；测试获取第二连接结构与栅极之间的第二电容；计算第一电容和第二电容的差值的绝对值，得到晶体管的重叠电容。本发明晶体管重叠电容的测试方法简单，并能准确简便地测试出晶体管的重叠电容。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 重叠 电容 测试 结构 及其 方法 | ||
【主权项】：
一种晶体管重叠电容的测试方法，其特征在于，包括：提供测试结构，所述测试结构包括位于半导体衬底上的晶体管、第一连接结构和第二连接结构，所述晶体管包括位于衬底上的栅介质层、位于栅介质层上的栅极、位于栅极两侧的半导体衬底中的源区和漏区，所述第一连接结构位于源区表面且连接所述源区，所述第二连接结构位于漏区表面且连接所述漏区，其中，所述源区或漏区还包括位于栅介质层下的重叠区，所述重叠区只存在于所述栅极一侧的衬底中；测试获取所述第一连接结构与栅极之间的第一电容；测试获取所述第二连接结构与栅极之间的第二电容；计算所述第一电容和第二电容的差值的绝对值，得到晶体管的重叠电容。
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