[发明专利]晶体管重叠电容的测试结构及其测试方法

权利要求书

1.一种晶体管重叠电容的测试方法，其特征在于，包括：

提供测试结构，所述测试结构包括位于半导体衬底上的晶体管、第一连接结构和第二连接结构，所述晶体管包括位于衬底上的栅介质层、位于栅介质层上的栅极、位于栅极两侧的半导体衬底中的源区和漏区，所述第一连接结构位于源区表面且连接所述源区，所述第二连接结构位于漏区表面且连接所述漏区，其中，所述源区或漏区还包括位于栅介质层下的重叠区；

测试获取所述第一连接结构与栅极之间的第一电容；

测试获取所述第二连接结构与栅极之间的第二电容；

计算所述第一电容和第二电容的差值的绝对值，得到晶体管的重叠电容。

2.如权利要求1所述的测试方法，其特征在于，所述源区和漏区均包括重掺杂区，所述重叠区包括轻掺杂区。

3.如权利要求2所述的测试方法，其特征在于，所述重叠区还包括：包围所述轻掺杂区的晕环区。

4.如权利要求1所述的测试方法，其特征在于，所述晶体管还包括位于栅极周围的半导体衬底上的侧墙。

5.如权利要求1所述的测试方法，其特征在于，所述测试结构还包括：位于所述第一连接结构和源区之间、第二连接结构和漏区之间的金属硅化物。

6.如权利要求1所述的测试方法，其特征在于，所述测试结构还包括：半导体衬底、栅极、第一连接结构与第二连接结构之间的层间介质层。

7.如权利要求1所述的测试方法，其特征在于，所述测试结构包括一个晶体管，所述绝对值等于晶体管的重叠电容。

8.如权利要求1所述的测试方法，其特征在于，所述测试结构包括位于半导体衬底上的两个或两个以上并列排布的晶体管，其中所述栅极之间电连接，所述第一连接结构之间电连接，所述第二连接结构之间电连接，

得到晶体管的重叠电容等于，第一电容和第二电容的差值的绝对值与晶体管个数的比值。

9.如权利要求8所述的测试方法，其特征在于，相邻两个所述晶体管之间共用源区和漏区。

10.如权利要求1所述的测试方法，其特征在于，所述栅介质层的材料包括氧化硅、氮氧化硅或高K介质材料。

11.一种晶体管重叠电容的测试结构，其特征在于，包括：

晶体管，所述晶体管包括位于半导体衬底上的栅介质层、位于栅介质层上的栅极、位于栅极两侧的衬底中的源区和漏区，其中所述源区或漏区还包括位于栅介质层下的重叠区；

位于源区表面且连接所述源区的第一连接结构；

位于漏区表面且连接所述漏区的第二连接结构。

12.如权利要求11所述的测试结构，其特征在于，所述源区和漏区均包括重掺杂区，所述重叠区包括轻掺杂区。

13.如权利要求12所述的测试结构，其特征在于，所述重叠区还包括：包围所述轻掺杂区的晕环区。

14.如权利要求11所述的测试结构，其特征在于，所述晶体管还包括位于栅极周围的半导体衬底上的侧墙。

15.如权利要求11所述的测试结构，其特征在于，还包括：位于所述第一连接结构和源区之间、第二连接结构和漏区之间的金属硅化物。

16.如权利要求11所述的测试结构，其特征在于，还包括：半导体衬底、栅极、第一连接结构与第二连接结构之间的层间介质层。

17.如权利要求11所述的测试结构，其特征在于，包括位于半导体衬底上的两个以上并列排布的晶体管，其中，所述栅极之间电连接，所述第一连接结构之间电连接，所述第二连接结构之间电连接。

18.如权利要求17所述的测试结构，其特征在于，所述相邻两个晶体管之间为共用源区和漏区。

19.如权利要求11所述的测试结构，其特征在于，所述栅介质层的材料包括氧化硅、氮氧化硅或高K介质材料。