[发明专利]电极形成体、布线基板以及半导体装置在审

专利信息
申请号: 201310096187.5 申请日: 2013-03-25
公开(公告)号: CN103367292A 公开(公告)日: 2013-10-23
发明(设计)人: 右田千裕;菊地广;竹本良章 申请(专利权)人: 奥林巴斯株式会社
主分类号: H01L23/488 分类号: H01L23/488;H01L21/60
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 李辉;黄纶伟
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供一种电极形成体、布线基板以及半导体装置,其中,该电极形成体能够适当地降低硅晶片直接接合时的荷重,该电极形成体(1)具有:具有规定厚度的基材(10);以及在基材的厚度方向的一个表面上形成的电极部(20),在该电极形成体(1)中,电极部(20)具有:基础突起(21),其形成为大致柱状,在基材(10)上突出;以及脆弱突起(22),其以与基础突起(21)金属键合的方式独立于基础突起而形成。
搜索关键词: 电极 形成 布线 以及 半导体 装置
【主权项】:
一种电极形成体,其具有:具有规定厚度的基材;以及在所述基材的厚度方向的一个表面上形成的电极部,所述电极部具有:基础突起,其形成为大致圆柱状,在所述基材上突出;以及脆弱突起,其以与所述基础突起金属键合的方式独立于所述基础突起而形成。
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