[发明专利]电极形成体、布线基板以及半导体装置在审
| 申请号: | 201310096187.5 | 申请日: | 2013-03-25 |
| 公开(公告)号: | CN103367292A | 公开(公告)日: | 2013-10-23 |
| 发明(设计)人: | 右田千裕;菊地广;竹本良章 | 申请(专利权)人: | 奥林巴斯株式会社 |
| 主分类号: | H01L23/488 | 分类号: | H01L23/488;H01L21/60 |
| 代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 李辉;黄纶伟 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 电极 形成 布线 以及 半导体 装置 | ||
1.一种电极形成体,其具有:具有规定厚度的基材;以及在所述基材的厚度方向的一个表面上形成的电极部,
所述电极部具有:基础突起,其形成为大致圆柱状,在所述基材上突出;以及脆弱突起,其以与所述基础突起金属键合的方式独立于所述基础突起而形成。
2.根据权利要求1所述的电极形成体,其中,
所述基材由半导体或绝缘体形成。
3.根据权利要求1所述的电极形成体,其中,
所述基础突起由金、铜、镍、以及包含这些金属中的至少一种的合金中的任意之一形成,
所述脆弱突起由金、铜、镍、锡、以及包含这些金属中的至少一种的合金中的任意之一形成。
4.根据权利要求1所述的电极形成体,其中,
所述基础突起的形成所述脆弱突起的表面的表面粗糙度Ra为100纳米以下。
5.根据权利要求1所述的电极形成体,其中,
所述脆弱突起由粒状的金属形成。
6.根据权利要求5所述的电极形成体,其中,
所述脆弱突起通过镀覆而形成,所述粒状的金属是通过镀核的生长而形成的。
7.根据权利要求1所述的电极形成体,其中,
所述脆弱突起是通过镀覆、蒸镀、溅射以及印刷中的任意一种方法而形成的。
8.一种布线基板,该布线基板具有:
权利要求2所述的电极形成体;以及
布线,其设于所述基材上并与所述电极部连接。
9.一种半导体装置,该半导体装置具有:
权利要求8所述的布线基板;以及
设于所述基材上的半导体元件。
10.一种半导体装置,该半导体装置具有:
权利要求8所述的布线基板;以及
设于所述基材上的半导体芯片或半导体封装。
11.一种半导体装置,该半导体装置是通过接合至少两张形成了电极部的布线基板而形成的,所述布线基板中的至少一方是权利要求8所述的布线基板或者权利要求9所述的半导体装置中的布线基板。
12.一种半导体装置,该半导体装置是通过接合至少两张形成了电极部的布线基板而形成的,所述布线基板中的至少一方是权利要求8所述的布线基板或者权利要求10所述的半导体装置中的布线基板。
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