[发明专利]一种终端与有源区形成弱电连接的结构及其设计方法

摘要

本发明提供了一种终端与有源区形成弱电连接的结构，包括衬底结构、场限环结构、钝化层、基区结构、发射区结构、多晶硅栅结构、覆盖有源区的金属电极、通过氧化层开孔与主结和第一级场限环连接的金属电极、及与多晶硅栅结构连接的栅极电极，本发明提供的一种终端与有源区形成弱电连接的结构，是在传统终端结构的形成终端钝化层的基础上，在终端主结和第一级场限环之间刻蚀钝化层形成金属接触窗口，使得该位置与有源区的金属形成电学连接。本发明提供的一种终端与有源区形成弱电连接的结构，可以防止高压器件在动态过程中发生闩锁，同时可以保证器件在有源区和终端区的可靠性，降低器件在HTRB过程中的漏电流。 1

主权项

1.一种终端与有源区形成弱电连接的结构，其特征在于：包括衬底结构、设置在终端结构中的主结、与主结同步形成的掺杂类型与衬底相反的场限环结构、覆盖终端的钝化层、与衬底掺杂类型相反的基区结构、与衬底掺杂类型相同的发射区结构、在过渡区充当栅极总线的多晶硅栅结构、覆盖有源区的金属电极、通过钝化层开孔与主结和场限环结构之间的中间区域的衬底结构连接的电极、及与多晶硅栅结构连接的栅极电极，所述通过钝化层开孔与主结和场限环结构之间的中间区域的衬底结构连接的电极与所述覆盖有源区的金属电极相连。

2.根据权利要求1所述的终端与有源区形成弱电连接的结构，其特征在于：所述主结的掺杂类型与所述衬底结构的掺杂类型相反。

3.根据权利要求1所述的终端与有源区形成弱电连接的结构，其特征在于：所述覆盖有源区的金属电极、通过钝化层开孔与主结和场限环结构之间的中间区域的衬底结构连接的电极和与多晶硅栅结构连接的栅极电极同时形成，三者通过刻蚀金属进行电学隔离。

4.一种权利要求1所述的终端与有源区形成弱电连接的结构的设计方法，其特征在于，包括：

在衬底区域覆盖一层充当注入掩蔽层的氧化层，在氧化层上刻蚀主结和场限环结构的注入窗口；

通过氧化层上的注入窗口在衬底区域表面形成主结和场限环结构；

在衬底表面生长一层场氧化层；

刻蚀掉有源区的场氧化层，在有源区衬底表面生长栅氧化层和多晶硅栅结构，刻蚀掉有源区的栅氧化层和多晶硅栅结构，并进一步通过离子注入和退火在有源区形成基区结构；

生长充当掩蔽层的氧化层，进一步刻蚀形成发射极注入窗口，并进一步通过离子注入和退火形成发射区结构；

在芯片表面覆盖钝化层；

刻蚀掉元包区发射极表面的钝化层以及终端区主结和场限环结构之间的钝化层和氧化层；

刻蚀掉包围有源区一圈栅极总线上方的部分钝化层；

在芯片表面淀积一层金属层；

刻蚀掉不需要的金属层，形成有源区的金属电极、与多晶硅栅结构连接的栅极电极，并在芯片的拐角位置形成与主结和场限环结构之间的中间区域的衬底结构连接的电极。