[发明专利]制造第III族氮化物半导体单晶的方法及制造GaN衬底的方法有效
| 申请号： | 201310048487.6 | 申请日： | 2013-02-06 |
| 公开（公告）号： | CN103243389A | 公开（公告）日： | 2013-08-14 |
| 发明（设计）人： | 永井诚二;守山实希;久米川尚平;山崎史郎 | 申请（专利权）人： | 丰田合成株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/38 | 分类号： | C30B29/38;C30B19/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 顾晋伟;全万志 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了一种用于制造具有优异的结晶度的第III族氮化物半导体单晶的方法以及一种用于制造具有优异的结晶度的GaN衬底的方法，所述方法包括控制回熔。具体地，在用作生长衬底的GaN衬底上形成掩模层。之后，通过光刻形成穿过掩模层并且到达GaN衬底的多个沟槽。获得的籽晶和单晶的原材料被供给到坩埚并且在加压和高温条件下经历处理。在熔剂中使GaN衬底的露出到沟槽的部分经历回熔。通过GaN衬底的溶解，沟槽的尺寸增加，以提供大沟槽。GaN层从掩模层的作为起始点的表面生长。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 iii 氮化物 半导体 方法 gan 衬底 | ||
【主权项】：
一种用于制造第III族氮化物半导体单晶的方法，所述方法包括：制备籽晶的籽晶制备步骤，所述步骤包括在底层上形成由AlXInYGa(1‑X‑Y)N(0＜X，0≤Y，X+Y≤1)制成的掩模层，从而形成其中所述底层的一部分覆盖有所述掩模层并且其中所述底层的剩余部分未覆盖有所述掩模层的籽晶；在包含至少碱金属的熔体中对所述底层的未覆盖有所述掩模层的露出部分进行回熔的籽晶蚀刻步骤；以及在包含至少第III族金属和碱金属的熔融混合物中在所述籽晶上生长第III族氮化物半导体单晶的半导体单晶形成步骤。
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