[发明专利]半导体装置制造方法和电子装置制造方法有效
| 申请号： | 201310048269.2 | 申请日： | 2013-02-06 |
| 公开（公告）号： | CN103258752A | 公开（公告）日： | 2013-08-21 |
| 发明（设计）人： | 石月义克;佐佐木伸也;谷元昭 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L21/50 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 朱胜;穆云丽 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体装置制造方法和电子装置制造方法，该半导体装置制造方法包括：将半导体元件放置在粘着层上，该粘着层放置在具有第一通孔的支撑体上；将部件放置在包括与第一通孔对应的部分的区域中，该部分在放置在支撑体上的粘着层上；通过在已放置了半导体元件和部件的粘着层上形成树脂层来在粘着层上形成基板，该基板包括半导体元件、部件和树脂层；以及通过经由第一通孔按压部件而从粘着层分离基板。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 电子 | ||
【主权项】：
一种制造半导体装置的方法，所述方法包括：将半导体元件放置在粘着层上，所述粘着层放置在具有第一通孔的支撑体上；将部件放置在包括与所述第一通孔对应的部分的区域中，所述部分在放置在所述支撑体上的粘着层上；通过在放置了所述半导体元件和所述部件的所述粘着层上形成树脂层而在所述粘着层上形成基板，所述基板包括所述半导体元件、所述部件和所述树脂层；以及通过经由所述第一通孔按压所述部件而从所述粘着层分离所述基板。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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