[发明专利]半导体装置制造方法和电子装置制造方法

说明书

技术领域

这里讨论的实施例涉及制造包括半导体元件的半导体装置的方法和制造包括该半导体装置的电子装置的方法。

背景技术

晶圆级封装（WLP）被公知为包括诸如裸片的半导体元件（电子部件）的半导体封装（半导体装置）之一。WLP还可被称为晶圆级芯片尺寸封装（WL-CSP）或晶圆芯片尺寸封装（W-CSP）。对于WLP，在裸片的端部的端子可以被重置在芯片区域中，即，扇入设计是可能的。由于裸片已具有较多端子，因此变得难以将其端子仅重置于芯片区域中。为了解决该问题，已开发了具有重置在芯片区域外部的端子（即，具有扇出结构）的WLP。

在制造这些类型的半导体封装时，公知的技术使用如下方法：将半导体元件附接到支撑体上布置的粘着层（诸如粘着片），通过树脂封接半导体元件以形成伪晶圆（pseudo wafer），并且从粘着层分离伪晶圆。然后，在已从粘着层分离的伪晶圆的表面上形成布线层，此后执行切块（dicing）以获得单独化的半导体封装。在该类型的制造方法中，当从粘着层分离伪晶圆时，通过例如利用紫外线的照射、利用化学溶液的处理或加热而降低了粘着层的粘着力。

在传统的公知技术中，当从粘着层分离附接到粘着层（诸如膜或带）上的单独化的芯片时，利用引脚从粘着层下方将芯片向上推。

作为现有技术所公开的示例包括例如美国专利第7202107B2号、日本专利第4403631号以及日本特开专利公布第2002-124527号、第2011-187551号和第2003-17513号中的描述。

在从粘着层分离形成在粘着层上的伪晶圆（基板）的上述方法中，通过利用紫外线的照射、利用化学溶液的处理或加热降低了粘着层的粘着力。

然而，一旦降低了粘着层的粘着力，则难以再利用该粘着层。因此，每次形成伪晶圆时需要使用新的粘着层。这已成为减少制造半导体装置（半导体封装）中涉及的人力小时和成本的障碍。还存在以此方式制造的半导体装置的使用会增加电子装置的成本的可能性。

发明内容

在一方面，实施例提供了用于减少人力小时和成本的半导体装置和电子装置的制造方法。

根据本发明的一方面，一种制造半导体装置的方法包括：将半导体元件放置在粘着层上，该粘着层放置在具有第一通孔的支撑体上；将部件放置在包括与第一通孔对应的部分的区域中，该部分在放置在支撑体上的粘着层上；通过在已放置了半导体元件和部件的粘着层上形成树脂层而在粘着层上形成基板，该基板包括半导体元件、部件和树脂层；以及通过经由第一通孔按压部件而从粘着层分离基板。

将借助于在权利要求中特别指出的元素和组合来实现和获得本发明的目的和优点。

应理解，上述大致描述和以下详细描述都是示例性的和说明性的并且不是对要求保护的发明的限制。

附图说明

图1A至1D示出了制造半导体装置的方法的示例；

图2示出了半导体装置制造过程；

图3A至3D示出了另一实施例中的制造半导体装置的方法的示例；

图4A和4B示出了部件的结构的示例；

图5A至5D示出了制造半导体装置的方法的另一示例；

图6A和6B示出了粘着层的结构的示例；

图7A和7B示出了第一实施例中的支撑体和粘着层制备过程；

图8A和8B示出了第一实施例中的部件放置过程；

图9A和9B示出了第一实施例中的树脂层形成过程；

图10A和10B示出了第一实施例中的伪晶圆分离过程；

图11示出了第一实施例中的布线层形成过程；

图12示出了第一实施例的单独化过程；

图13示出了第二实施例中的部件放置过程；

图14示出了第二实施例中的树脂层形成过程；

图15示出了第二实施例中的伪晶圆分离过程；

图16示出了第二实施例中的第一布线层形成过程；

图17示出了第二实施例中的磨削过程；

图18示出了第二实施例中的第二布线层形成过程；

图19示出了第二实施例中的保护膜形成和表面处理过程；

图20示出了第二实施例中的单独化过程；

图21A和21B示出了使用框架的伪晶圆的示例；

图22示出了使用框架的伪晶圆的另一示例；以及

图23示出了电子装置的示例。

具体实施方式