[发明专利]用于半导体晶圆的混合接合机制有效
| 申请号： | 201310046609.8 | 申请日： | 2013-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN103794584B | 公开（公告）日： | 2017-03-08 |
| 发明（设计）人： | 刘丙寅;陈思莹;王铨中;黄志辉;黄信华;赵兰璘;杜友伦;蔡嘉雄;陈晓萌 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本文所述的扩散阻挡层的实施例提供了用于形成铜扩散阻挡层以阻止用于混合接合晶圆的器件退化的机制。(一层或多层)扩散阻挡层环绕用于混合接合的含铜导电焊盘。扩散阻挡层可以位于两个接合晶圆中的一个上或位于这两个接合晶圆上。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 半导体 混合 接合 机制 | ||
【主权项】：
一种半导体衬底，包括：导电焊盘，形成在所述半导体衬底的表面中及其附近，其中，所述导电焊盘的表面被暴露出来，并且，所述导电焊盘的表面用于与另一衬底的另一导电焊盘混合接合；第一阻挡层，内衬所述导电焊盘；以及第二阻挡层，围绕所述导电焊盘，其中，所述第二阻挡层的表面与所述导电焊盘的表面对准；其中，所述第二阻挡层的一部分位于介电层下方，其中，所述介电层围绕所述第二阻挡层的一部分，所述第二阻挡层围绕所述导电焊盘。
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