[发明专利]一种超薄半导体晶片的制作方法

摘要

本发明涉及一种超薄半导体晶片的制作方法，所述方法包括：在晶片(1)表面通过涂胶机制作聚酰亚胺涂层(2)；用贴片机将载片(3)和步骤1)所得晶片(1)粘合在一起；在氮气(4)的气氛下，将所得晶片(1)和载片(3)通过加热沾为一体；将所得沾有晶片(1)的载片(3)通过沾片工艺沾在另一个载具上进行减薄和抛光；将所得沾有晶片(1)的载片(3)通过在去蜡液或CCl4中浸泡从载具上自动卸落；在所得沾有晶片(1)的抛光面上直接淀积SiO2或SiNx介质绝缘膜或沉积金属膜；将所得沾有晶片(1)的载片(3)浸入N-甲基吡咯烷酮或PGremover溶液中加热到50~80℃，以使晶片(1)和载片(3)脱离。本发明方法不仅可避免反复卸片和沾片的繁琐，节约工时，工艺简单，还可以避免卸片和沾片时可能出现的InP或GaAs薄片破碎问题。

主权项

一种超薄半导体晶片的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：1)在晶片(1)表面通过涂胶机制作聚酰亚胺涂层(2)；2)用粘片机将载片(3)和步骤1)所得晶片(1)粘合；3)在氮气(4)气氛下，将步骤2)所得晶片(1)和载片(3)通过加热沾为一体；4)将步骤3)所得沾有晶片(1)的载片(3)通过沾片工艺沾在另一个载具上进行减薄和抛光；5)将步骤4)所得沾有晶片(1)的载片(3)通过在去蜡液或CCl4中浸泡从载具上自动卸落；6)将步骤5)所得沾有晶片(1)的载片(3)直接送入PECVD设备于晶片(1)的抛光面上淀积SiO2或SiNx介质绝缘膜，或者放入电子束蒸发机或溅射机中沉积金属膜；7)将上述沾有晶片(1)的载片(3)浸入NMP或PG remover溶液中加热到50~80℃, N‑甲基吡咯烷酮或PG remover溶液将通过载片(3)上的小孔和边缘逐渐溶解未充分钝化的聚酰亚胺涂层(2)，最终晶片(1)和载片(3)脱离。