[发明专利]一种超薄半导体晶片的制作方法

权利要求书

1.一种超薄半导体晶片的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

1)在晶片(1)表面通过涂胶机制作聚酰亚胺涂层(2)；

2)用粘片机将载片(3)和步骤1)所得晶片(1)粘合；

3)在氮气(4)气氛下，将步骤2)所得晶片(1)和载片(3)通过加热沾为一体；

4)将步骤3)所得沾有晶片(1)的载片(3)通过沾片工艺沾在另一个载具上进行减薄和抛光；

5)将步骤4)所得沾有晶片(1)的载片(3)通过在去蜡液或CCl₄中浸泡从载具上自动卸落；

6)将步骤5)所得沾有晶片(1)的载片(3)直接送入PECVD设备于晶片(1)的抛光面上淀积SiO₂或SiNx介质绝缘膜，或者放入电子束蒸发机或溅射机中沉积金属膜；

7)将上述沾有晶片(1)的载片(3)浸入NMP或PG remover溶液中加热到50~80℃, N-甲基吡咯烷酮或PG remover溶液将通过载片(3)上的小孔和边缘逐渐溶解未充分钝化的聚酰亚胺涂层(2)，最终晶片(1)和载片(3)脱离。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤1)中所述聚酰亚胺涂层(2)的厚度为5-10μm。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤2)中所述载片(3)是厚度为0.5-1mm的石英玻璃或蓝宝石衬底，其表面设有直径为2mm、间距为10-15mm的周期圆孔。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤3)中，步骤2)所得晶片(1)和载片(3)通过100-350℃、2.5-3小时的加热牢牢地沾为一体，且晶片(1)和载片(3)之间的聚酰亚胺涂层(2)钝化。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤3)中所述氮气(4)为纯度>99.5%的氮气。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤4)中所述沾片工艺为石蜡沾片工艺。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤4)中所述沾有晶片(1)的载片(3)通过沾片工艺沾在另一个载具上进行减薄和抛光以将晶片(1)减薄到80-150μm。

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤6)中所述淀积SiO₂或SiNx介质绝缘膜的温度为250-300℃；所述沉积金属膜的温度为低于300℃。

9.如权利要求1-8任一所述的方法，其特征在于，步骤6)之后还包括步骤6a)：在步骤6)所得晶片(1)的抛光面上进行光刻或刻蚀，或者多次于250-300℃下进行热处理，或淀积SiO₂或SiN_x介质绝缘膜。