[发明专利]功率MOSFET及其形成方法

摘要

功率MOSFET及其形成方法。一种器件包括延伸至半导体区中并且具有第一导电类型的沟槽，以及位于沟槽中的导电场板。第一介电层将场板的底部和侧壁与半导体区隔离开。主栅极设置在沟槽中并且与场板重叠。第二介电层设置在主栅极和场板之间并且将主栅极和场板彼此隔离开。具有第一导电类型的掺杂漏极(DD)区位于第二介电层下方并且具有与DD区重叠的边缘部分。体区包括与主栅极的一部分处于同一层的第一部分和接触DD区的第二部分，其中体区具有与第一导电类型相反的第二导电类型。含MOS器件位于半导体区的表面。

主权项

一种器件，包括：半导体区，具有第一导电类型；沟槽，延伸至所述半导体区中；场板，位于所述沟槽中，其中所述场板是导电的；第一介电层，将所述场板的底部和侧壁与所述半导体区隔离开；主栅极，位于所述沟槽中并且与所述场板重叠；第二介电层，位于所述主栅极和所述场板之间并且将所述主栅极和所述场板彼此隔离开；掺杂漏极(DD)区，具有第一导电类型并且位于所述第二介电层下方，其中所述主栅极的边缘部分与所述DD区重叠；体区，包括与所述主栅极的一部分处于同一层的第一部分和与所述DD区处于同一层并且接触所述DD区的第二部分，其中所述体区具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型；以及含金属氧化物半导体(MOS)器件，位于所述半导体区的表面，其中所述含MOS器件选自基本上由高电压(HV)N型MOS(HVNMOS)器件、HV P型MOS(HVPMOS)器件、低电压(LV)N型MOS(LVNMOS)器件、LV P型MOS(LVPMOS)器件和它们的组合所组成的组。