[发明专利]接触测试结构和方法有效
| 申请号： | 201310014921.9 | 申请日： | 2013-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN103311224A | 公开（公告）日： | 2013-09-18 |
| 发明（设计）人： | 陈洁;陈宪伟;于宗源;陈英儒 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L23/498;H01L21/48 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 提供一种用于测试电连接的系统和方法。在一个实施例中，可以制造一个或者多个浮置焊盘与凸块下金属化结构电连接。然后可以执行测试以经过浮置焊盘测量凸块下金属化结构的电特性以便测试缺陷。取而代之，传导连接可以形成于凸块下金属化上，并且可以对传导连接和凸块下金属化一起执行测试。 | ||
| 搜索关键词： | 接触 测试 结构 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：传导接触，位于衬底上，所述传导接触具有第一宽度；以及第一浮置测试焊盘，与所述衬底上的所述传导接触相邻，其中，所述第一浮置测试焊盘通过所述衬底电连接到所述传导接触，所述第一浮置测试焊盘具有与所述第一宽度不同的第二宽度。
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