[发明专利]接触测试结构和方法有效
| 申请号： | 201310014921.9 | 申请日： | 2013-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN103311224A | 公开（公告）日： | 2013-09-18 |
| 发明（设计）人： | 陈洁;陈宪伟;于宗源;陈英儒 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L23/498;H01L21/48 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 接触 测试 结构 方法 | ||
1.一种半导体器件，包括：
传导接触，位于衬底上，所述传导接触具有第一宽度；以及
第一浮置测试焊盘，与所述衬底上的所述传导接触相邻，其中，所述第一浮置测试焊盘通过所述衬底电连接到所述传导接触，所述第一浮置测试焊盘具有与所述第一宽度不同的第二宽度。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括第二浮置测试焊盘，位于所述衬底上，其中，所述第二浮置测试焊盘通过所述衬底电连接到所述传导接触和所述第一浮置测试焊盘，所述第二浮置测试焊盘具有与所述第一宽度不同的第三宽度。
3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述第一浮置测试焊盘、所述第二浮置测试焊盘和所述传导接触在第一方向上对准。
4.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述第一浮置测试焊盘和所述传导接触沿着第一方向对准，而所述第二浮置测试焊盘和所述传导接触沿着与所述第一方向不同的第二方向对准。
5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，所述传导接触位于所述衬底的边角处。
6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述传导接触包括第一材料，所述第一浮置测试焊盘包括所述第一材料。
7.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括传导凸块，位于所述传导接触上。
8.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括后钝化互连件，所述后钝化互连件通过所述衬底将所述第一浮置焊盘电连接到所述传导接触。
9.一种半导体器件，包括：
第一传导接触，位于衬底上；
第二传导接触，位于所述衬底上，所述第二传导接触与所述第一传导接触相距第一距离；以及
第一测试焊盘，与所述第一传导接触相距第二距离，所述第一距离小于所述第二距离，所述第一测试焊盘小于所述第一传导接触；以及
互连件，位于所述衬底内，所述互连件将所述第一测试焊盘电连接到所述第一传导接触。
10.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：
在衬底上形成互连件；
在所述互连件上形成钝化层；
穿过所述钝化层形成第一开口和第二开口，以露出所述互连件的第一部分和所述互连件的第二部分；
在所述第一开口中形成与所述互连件接触的传导接触；以及
在所述第二开口中形成与所述互连件接触的第一测试焊盘，所述第一测试焊盘具有比所述传导接触更小的横向尺寸。
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