[发明专利]接触测试结构和方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体领域，更具体地，涉及接触测试结构和方法。

背景技术

一般而言，半导体管芯可以使用在半导体管芯与衬底之间的电连接件来附接到诸如印刷电路板的衬底(或者甚至附接到另一半导体管芯或者半导体晶片)。电连接件可以例如使用凸块下金属化来物理和电连接到半导体管芯。这种凸块下金属化可以提供电接触点，从而向在半导体管芯与衬底之间的电连接件施加的电信号具有通向位于半导体管芯内部的半导体结构的电路径。

然而，电连接件的放置及其与凸块下金属化的电连接很可能并不完美。可能由于电连接件与凸块下金属化的未对准、可能在电连接件或者凸块下金属化内出现的裂缝、凸块下金属化的分层以及诸多其它问题而出现与放置有关的问题。如果出现这些问题，则可能出现电连接件与凸块下金属化之间的电接触件的完全或者部分损失。这样的损失可能造成电连接件完全或者部分无法向半导体管芯传送信号、电源或者接地连接并且可能造成半导体管芯的效用完全或者部分损失，因为它可能不能如我们所期望地解决可能发生的问题。同样地，电连接件与凸块下金属化之间的问题可能会导致丢弃半导体芯片并且需要完全重新制造半导体管芯，以便获得执行所需功能的可用半导体器件。

发明内容

为解决上述问题，本发明提供了一种半导体器件，包括：传导接触，位于衬底上，传导接触具有第一宽度；以及第一浮置测试焊盘，与衬底上的传导接触相邻，其中，第一浮置测试焊盘通过衬底电连接到传导接触，第一浮置测试焊盘具有与第一宽度不同的第二宽度。

该半导体器件还包括第二浮置测试焊盘，位于衬底上，其中，第二浮置测试焊盘通过衬底电连接到传导接触和第一浮置测试焊盘，第二浮置测试焊盘具有与第一宽度不同的第三宽度。

其中，第一浮置测试焊盘、第二浮置测试焊盘和传导接触在第一方向上对准。

其中，第一浮置测试焊盘和传导接触沿着第一方向对准，而第二浮置测试焊盘和传导接触沿着与第一方向不同的第二方向对准。

其中，传导接触位于衬底的边角处。

其中，传导接触包括第一材料，第一浮置测试焊盘包括第一材料。

该半导体器件还包括传导凸块，位于传导接触上。

该半导体器件还包括后钝化互连件，后钝化互连件通过衬底将第一浮置焊盘电连接到传导接触。

此外，还提供了一种半导体器件，包括：第一传导接触，位于衬底上；第二传导接触，位于衬底上，第二传导接触与第一传导接触相距第一距离；以及第一测试焊盘，与第一传导接触相距第二距离，第一距离小于第二距离，第一测试焊盘小于第一传导接触；以及互连件，位于衬底内，互连件将第一测试焊盘电连接到第一传导接触。

该半导体器件还包括第二测试焊盘，位于衬底上，与第一传导接触相距第三距离，第三距离小于第一距离，其中，互连件将第二测试焊盘电连接到第一传导接触。

其中，第一测试焊盘、第二测试焊盘和第一传导接触在第一方向上对准。

其中，第一测试焊盘和第一传导接触在第一方向上对准，而第二测试焊盘和第一传导接触在与第一方向垂直的第二方向上对准。

其中，第一测试焊盘相对于第一传导接触与第二传导接触之间的线发生偏移。

该半导体器件还包括传导凸块，位于第一传导接触件上。

此外，还提供了一种制造半导体器件的方法，方法包括：在衬底上形成互连件；在互连件上形成钝化层；穿过钝化层形成第一开口和第二开口，以露出互连件的第一部分和互连件的第二部分；在第一开口中形成与互连件接触的传导接触；以及在第二开口中形成与互连件接触的第一测试焊盘，第一测试焊盘具有比传导接触更小的横向尺寸。

其中，同时执行形成传导接触的步骤和形成第一测试焊盘的步骤。

该方法还包括在传导接触上形成传导凸块。

还包括使用第一测试焊盘来测试传导接触。

该方法还包括：穿过钝化层形成第三开口，以露出互连件的第三部分；以及在第三开口中形成与互连件接触的第二测试焊盘。

其中，第一测试焊盘和传导接触在第一方向上对准，而第二测试焊盘和传导接触在与第一方向垂直的第二方向上对准。

附图说明

为了更完整理解本发明及其优点，现在参照与以下附图结合的下文描述，其中：

图1示出了根据一个实施例的具有凸块下金属化、第一浮置焊盘和第二浮置焊盘的半导体管芯；

图2示出了根据一个实施例的可以用于通过第一浮置焊盘和第二浮置焊盘测试凸块下金属化的测试装置；