[发明专利]氮化物发光二极管及其制作方法有效
| 申请号： | 201310010488.1 | 申请日： | 2013-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN103094440A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | 林文禹;叶孟欣;林科闯 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361009 福建省厦*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具电流注入调制层(currentmodulationlayer)的发光二极管之外延结构设计，具体的说是关于导入一种高阻值(highresistivity)的材料以改变注入电流传导路径。其主要的结构实施为分别在N型传导层或P型传导层中成长高阻值材料（如InxAlyGa1-x-yN），借由高温H2在反应炉内蚀刻（InSituEtching）直至露出部分电流传导路径，再分别成长N型或P型传导层于以覆盖而得。此设计无需二次外延即可形成电流注入调制层，此法使得注入电流在N型传导层与P型传导层具一更佳之扩展路径，更有效均匀扩散注入有源区层，进而增加发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 发光二极管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
氮化物发光二极管，包含N型传导层，P型传导层，在N型传导层和P型传导层之间具有发光层；至少在N型传导层或P型传导层内包含一层电流注入调制层，其由具有开孔结构的氮化物绝缘材料层构成，所述开孔结构通过在外延生长的反应炉内通入H2蚀刻而成，用于电流传导。
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