[发明专利]氮化物发光二极管及其制作方法

权利要求书

1.氮化物发光二极管，包含N型传导层，P型传导层，在N型传导层和P型传导层之间具有发光层；至少在N型传导层或P型传导层内包含一层电流注入调制层，其由具有开孔结构的氮化物绝缘材料层构成，所述开孔结构通过在外延生长的反应炉内通入H₂蚀刻而成，用于电流传导。

2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述电流注入调制层的材料为未掺杂的In_xAl_yGa_1-x-yN，其中0≦x≦0.1，0≦y≦1，0≦x+y≦1。

3.根据权利要求1所述的氮化物发光二极管，其特征在于：所述电流注入调制层的开孔结构为随机离散分布。

4.根据权利要求3所述的氮化物发光二极管，其特征在于：所述电流注入调制层的开孔结构位于所述氮化物绝缘材料层中晶格较差的区域。

5.根据权利要求1所述的氮化物发光二极管，其特征在于：所述电流注入调制层开孔结构的分布密度为1x10⁴ ~ 1x10⁸ cm^-2。

6.根据权利要求1所述的氮化物发光二极管，其特征在于：所述电流注入调制层的下表面距离P型传导层的下表面的距离为50nm~200nm。

7.根据权利要求1所述的氮化物发光二极管，其特征在于：所述电流注入调制层的厚度为50nm ~ 200nm。

8.氮化物发光二极管的制作方法，通过外延生长方法沉积N型传导层，发光层和P型传导层，其特征在于：至少在N型传导层或P型传导层内形成一层电流注入调制层，其由具有开孔结构的氮化物绝缘材料层构成，所述开孔通过在外延生长的反应炉内通入H₂蚀刻而成，用于传导电流。

9.根据权利要求8所述的氮化物发光二极管的制作方法，其特征在于：所述电流注入调制层的材料为未掺杂的In_xAl_yGa_1-x-yN ，其中0≦x≦0.1，0≦y≦1，0≦x+y≦1。

10.根据权利要求8所述的氮化物发光二极管的制作方法，其特征在于：所述电流注入调制层通过下面方法形成：

外延生长N型传导层或P型传导层；

在N型传导层或P型传导层上沉积氮化物绝缘材料层；

在外延生长的反应炉内通入H₂蚀刻所述氮化物绝缘材料层直至露出部分N型传导层或P型传导层形成开口结构，用于电流传导；

继续外延生长N型传导层或P型传导层，从而在N型传导层或P型传导层内形成电流注入调制层。

11.根据权利要求10所述的氮化物发光二极管的制作方法，其特征在于：所述H₂气氛的浓度为H₂/NH₃ = 2.5~10。

12.根据权利要求10所述的氮化物发光二极管的制作方法，其特征在于：所述H₂蚀刻的温度为900℃~1200 ℃。

13.根据权利要求10所述的氮化物发光二极管的制作方法，其特征在于：所述H₂蚀刻所述氮化物绝缘材料层中晶格较差的部位形成开口结构。