[发明专利]半导体组件及其制造方法有效
| 申请号： | 201280072193.0 | 申请日： | 2012-04-06 |
| 公开（公告）号： | CN104205327B | 公开（公告）日： | 2017-05-03 |
| 发明（设计）人： | 苏赛贤;萧元甄;王传伟;苏孝文;陈浩洋 | 申请（专利权）人： | NEPES株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司11002 | 代理人： | 谢顺星,张晶 |
| 地址： | 韩国忠*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种包括精密且工序缺陷低的穿过布线的制造半导体组件的方法，本发明的一个实施例的制造半导体组件的方法包括如下步骤准备导电部件的步骤；去除导电部件的一部分而形成平面部和从平面部突出的突出部的步骤；形成密封导电部件的密封部件的步骤；去除密封部件的一部分而使导电部件的突出部从密封部件露出来形成穿过布线的步骤；在穿过布线上形成与穿过布线电连接的再布线图案层的步骤；在再布线图案层上安装半导体芯片的步骤；以及形成与穿过布线电连接的外部连接部件的步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 组件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种制造半导体组件的方法，其包括如下步骤：准备导电部件的步骤；去除所述导电部件的一部分形成平面部和从所述平面部突出的突出部的步骤；形成密封所述导电部件的密封部件的步骤；去除所述密封部件的一部分使所述导电部件的所述突出部从所述密封部件露出来形成穿过布线的步骤；在所述穿过布线上形成与所述穿过布线电连接的再布线图案层的步骤；去除所述穿过布线的一部分形成具有与所述密封部件的表面相比凹陷的表面的穿过布线的步骤；在所述再布线图案层上安装半导体芯片的步骤；以及形成与所述穿过布线电连接的外部连接部件的步骤，所述外部连接部件粘合在所述穿过布线的所述凹陷的表面。
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