[发明专利]半导体装置及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201280034713.9 申请日: 2012-08-24
公开(公告)号: CN103650138A 公开(公告)日: 2014-03-19
发明(设计)人: 小平悦宏 申请(专利权)人: 富士电机株式会社
主分类号: H01L25/07 分类号: H01L25/07;H01L23/04;H01L23/48;H01L25/18
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 张鑫
地址: 日本神*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 控制端子(13)焊接在形成导电图案的绝缘衬底(42)上,该衬底牢固地固定至散热基座(41)图案。树脂外壳(1)被结合到该散热基座(41)的边缘,并覆盖该散热基座(41)的形成导电图案的绝缘衬底(42)侧。该控制端子(13)从该树脂外壳(1)的开口(2)被暴露在该树脂外壳(1)外。设置在该控制端子(13)一侧端面(14)上的第一及第二突出部分(16、17),以及被插入树脂外壳(1)开口(2)内的树脂块(21)的凸起梯状部(26),彼此相配。因此,提供了一种半导体装置,其中即使诸如压缩载荷或拉伸载荷之类的外力被施加至控制端子(13),该控制端子(13)不陷入该树脂外壳(1)或被拉出该树脂外壳(1)。
搜索关键词: 半导体 装置 及其 制造 方法
【主权项】:
一种半导体装置,包括:控制端子,固定地附连至图案化绝缘衬底;第一突出,形成在所述控制端子上;第二突出,形成在所述控制端子上,与所述第一突出分开;凹谷,形成在所述第一突出及所述第二突出之间;树脂外壳,被部署为覆盖所述图案化绝缘衬底并具有使得所述控制端子通过其中的开口;第一凹部,形成在所述树脂外壳的所述开口的侧壁上;梁部,部署于所述树脂外壳的所述开口的底部;第二凹部,形成在所述梁部内;树脂块,被插入所述树脂外壳的所述开口内并与所述树脂外壳的所述开口的侧壁一起保持所述控制端子以将所述控制端子固定至所述树脂外壳;凸起梯状部,形成在所述树脂块内并嵌入所述控制端子的所述凹谷内;第三突出,形成在所述树脂块的侧壁上并被嵌入所述第一凹部内;以及第四突出,形成在所述树脂块的底面上并嵌入所述第二凹部内。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于富士电机株式会社,未经富士电机株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201280034713.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top