[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
申请号: | 201280034713.9 | 申请日: | 2012-08-24 |
公开(公告)号: | CN103650138A | 公开(公告)日: | 2014-03-19 |
发明(设计)人: | 小平悦宏 | 申请(专利权)人: | 富士电机株式会社 |
主分类号: | H01L25/07 | 分类号: | H01L25/07;H01L23/04;H01L23/48;H01L25/18 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 张鑫 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 控制端子(13)焊接在形成导电图案的绝缘衬底(42)上,该衬底牢固地固定至散热基座(41)图案。树脂外壳(1)被结合到该散热基座(41)的边缘,并覆盖该散热基座(41)的形成导电图案的绝缘衬底(42)侧。该控制端子(13)从该树脂外壳(1)的开口(2)被暴露在该树脂外壳(1)外。设置在该控制端子(13)一侧端面(14)上的第一及第二突出部分(16、17),以及被插入树脂外壳(1)开口(2)内的树脂块(21)的凸起梯状部(26),彼此相配。因此,提供了一种半导体装置,其中即使诸如压缩载荷或拉伸载荷之类的外力被施加至控制端子(13),该控制端子(13)不陷入该树脂外壳(1)或被拉出该树脂外壳(1)。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种半导体装置,包括:控制端子,固定地附连至图案化绝缘衬底;第一突出,形成在所述控制端子上;第二突出,形成在所述控制端子上,与所述第一突出分开;凹谷,形成在所述第一突出及所述第二突出之间;树脂外壳,被部署为覆盖所述图案化绝缘衬底并具有使得所述控制端子通过其中的开口;第一凹部,形成在所述树脂外壳的所述开口的侧壁上;梁部,部署于所述树脂外壳的所述开口的底部;第二凹部,形成在所述梁部内;树脂块,被插入所述树脂外壳的所述开口内并与所述树脂外壳的所述开口的侧壁一起保持所述控制端子以将所述控制端子固定至所述树脂外壳;凸起梯状部,形成在所述树脂块内并嵌入所述控制端子的所述凹谷内;第三突出,形成在所述树脂块的侧壁上并被嵌入所述第一凹部内;以及第四突出,形成在所述树脂块的底面上并嵌入所述第二凹部内。
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