[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
申请号: | 201280018795.8 | 申请日: | 2012-04-18 |
公开(公告)号: | CN103493197B | 公开(公告)日: | 2017-03-22 |
发明(设计)人: | 门口卓矢;岩崎真悟;川岛崇功;奥村知巳;西畑雅由 | 申请(专利权)人: | 丰田自动车株式会社;株式会社电装 |
主分类号: | H01L23/495 | 分类号: | H01L23/495 |
代理公司: | 北京金信知识产权代理有限公司11225 | 代理人: | 黄威,邓玉婷 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 一种半导体装置,包括第一半导体元件(10);第一厚板部(31),由导体形成且电连接到第一半导体元件的下表面侧的电极(11);第二半导体元件(20),其主表面面向第一半导体元件的主表面;第二厚板部(32),由导体形成且电连接到第二半导体元件的下表面侧的电极(21);第三厚板部(41),由导体形成且电连接到第一半导体元件的上表面侧的电极(12);第四厚板部(42),由导体形成且电连接到第二半导体元件的上表面侧的电极(22);第一薄板部(33、34),由导体形成并被设置在第二厚板部上且比第二厚板部薄;以及第二薄板部(43、44),由导体形成并被设置在第三厚板部上且比第三厚板部薄。第一薄板部和第二薄板部固定在一起并且电连接。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种半导体装置,其特征在于包括:第一半导体元件(10);第一厚板部(31),所述第一厚板部(31)被电连接到所述第一半导体元件(10)的下表面侧的电极(11)上,并且所述第一厚板部(31)由导体形成;第二半导体元件(20),其中所述第二半导体元件(20)被布置成与所述第一半导体元件(10)面向同一方向,并且所述第二半导体元件(20)的下表面侧与所述第一半导体元件(10)的下表面侧大致齐平;第二厚板部(32),所述第二厚板部(32)被电连接到所述第二半导体元件(20)的下表面侧的电极(21)上,并且所述第二厚板部(32)由导体形成;第三厚板部(41),所述第三厚板部(41)被电连接到所述第一半导体元件(10)的上表面侧的电极(12)上,并且所述第三厚板部(41)由导体形成;第四厚板部(42),所述第四厚板部(42)被电连接到所述第二半导体元件(20)的上表面侧的电极(12)上,并且所述第四厚板部(42)由导体形成;第一薄板部(34),所述第一薄板部(34)由导体形成并被设置在所述第二厚板部(32)上,且所述第一薄板部(34)比所述第一厚板部(31)和所述第二厚板部(32)两者都薄;以及第二薄板部(44),所述第二薄板部(44)由导体形成并被设置在所述第三厚板部(41)上,且所述第二薄板部(44)比所述第三厚板部(41)和所述第四厚板部(42)两者都薄,其中所述第一薄板部(34)和所述第二薄板部(44)被固定在一起并且被电连接,并且其中所述第一薄板部(34)被设置在所述第二厚板部(32)的所述第一厚板部侧上;所述第二薄板部(44)被设置在所述第三厚板部(41)的所述第四厚板部侧上;所述第二薄板部(44)水平地延伸并且与所述第三厚板部(41)的下表面具有同一平面;所述第一薄板部(34)包括向上弯曲以形成与所述第二薄板部(44)的下表面接触的接合表面的形状部。
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