[发明专利]碳化硅半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201210582270.9 | 申请日： | 2012-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN103311317B | 公开（公告）日： | 2017-12-19 |
| 发明（设计）人： | 松野吉德 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 | 代理人： | 何立波,张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种碳化硅半导体装置及碳化硅半导体装置的制造方法，以在分割成多个芯片的碳化硅半导体衬底中，分割后能够抑制放电产生。本发明，包括n＋型衬底（1）；n＋型衬底1上形成的杂质浓度比n＋型衬底（1）低的漂移外延层（2）；漂移外延层（2）上形成的肖特基电极（6）；以及至少覆盖肖特基电极（6）的端部、和漂移外延层（2）的端部及侧面而形成的作为绝缘膜的PI（8）。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种碳化硅半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：(a)在碳化硅半导体衬底(1)上，形成杂质浓度比所述碳化硅半导体衬底(1)低的外延层(2)的工序；(b)在所述外延层(2)上，形成多个电极(6)的工序；(c)在各所述电极(6)所夹着的所述外延层(2)上，形成比所述外延层(2)下表面深的槽(11)的工序；(d)至少覆盖所述电极(6)的端部、和所述外延层(2)的端部及露出的侧面而形成绝缘膜(8)的工序；以及(e)仅从形成有所述槽(11)的部分分割所述碳化硅半导体衬底(1)的工序，该碳化硅半导体装置的制造方法还包括：(f)在所述工序(d)前，用纯水清洗所述碳化硅半导体衬底(1)上及所述外延层(2)上的工序。
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