[发明专利]一种IGBT结构及其制备方法有效
| 申请号： | 201210562944.9 | 申请日： | 2012-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN103887248B | 公开（公告）日： | 2017-12-12 |
| 发明（设计）人： | 郑忠庆 | 申请（专利权）人： | 比亚迪股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/29 | 分类号： | H01L23/29;H01L21/56 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙)11201 | 代理人： | 张大威 |
| 地址： | 518118 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提出一种IGBT结构及其制备方法，其中该IGBT结构包括主芯片和保护层，其中保护层进一步包括形成在主芯片上的氮化硅膜；和形成在氮化硅膜上的聚酰亚胺膜。本发明具有氮化硅与聚酰亚胺复合型护层，且该复合层采用二次光刻工艺以保证各层薄膜质量良好，具有较好的机械性能、抗蚀性能、抗潮湿能力、抗外部离子能力，制成的器件稳定可靠。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 igbt 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种IGBT结构，其特征在于，包括：主芯片和保护层，其中所述保护层进一步包括：形成在所述主芯片上的氮化硅膜；和形成在所述氮化硅膜上的聚酰亚胺膜；其中，所述氮化硅膜以光刻胶为掩膜通过第一次刻蚀而成，并且所述聚酰亚胺膜通过第二次刻蚀而成，其中，所述聚酰亚胺膜的形成步骤包括：提供光敏聚酰亚胺涂胶层，对所述光敏聚酰亚胺涂胶层依次进行曝光、显影和固化后以形成所述聚酰亚胺膜。
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