[发明专利]半导体结构及其操作方法有效
| 申请号： | 201210533339.9 | 申请日： | 2012-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN103872112A | 公开（公告）日： | 2014-06-18 |
| 发明（设计）人： | 蔡英杰;陈永初;龚正 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06;H01L29/423;H01L21/331;H01L21/28 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体结构及其操作方法。半导体结构包括第一掺杂区、第二掺杂区、第三掺杂区、第四掺杂区与第一栅结构；第一掺杂区具有第一导电型；第二掺杂区围住第一掺杂区并具有相反于第一导电型的第二导电型；第三掺杂区具有第一导电型；第四掺杂区具有第二导电型；第一栅结构位于第二掺杂区上；第三掺杂区与第四掺杂区分别位于第一栅结构的相反侧上的第二掺杂区与第一掺杂区中。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 操作方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，包括：一第一掺杂区，具有一第一导电型；一第二掺杂区，围住该第一掺杂区并具有相反于该第一导电型的一第二导电型；一第三掺杂区，具有该第一导电型；一第四掺杂区，具有该第二导电型；以及一第一栅结构，位于该第二掺杂区上，其中该第三掺杂区与该第四掺杂区分别位于该第一栅结构的相反侧上的该第二掺杂区与该第一掺杂区中。
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