[发明专利]半导体结构及其操作方法

权利要求书

1.一种半导体结构，包括：

一第一掺杂区，具有一第一导电型；

一第二掺杂区，围住该第一掺杂区并具有相反于该第一导电型的一第二导电型；

一第三掺杂区，具有该第一导电型；

一第四掺杂区，具有该第二导电型；以及

一第一栅结构，位于该第二掺杂区上，其中该第三掺杂区与该第四掺杂区分别位于该第一栅结构的相反侧上的该第二掺杂区与该第一掺杂区中。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，更包括一第五掺杂区，具有该第一导电型，其中该第五掺杂区包围该第二掺杂区。

3.根据权利要求2所述的半导体结构，其中该第五掺杂区位于该第二掺杂区的相对侧上的部分是分别耦接至一阳极与一阴极。

4.根据权利要求2所述的半导体结构，更包括：

一掺杂接触区，具有该第一导电型，其中该第二掺杂区介于该第五掺杂区与该掺杂接触区之间；以及

一第二栅结构，位于该第五掺杂区邻近该掺杂接触区的部分上。

5.根据权利要求1所述的半导体结构，更包括多个第五掺杂区，具有该第一导电型，其中位于该第二掺杂区的相反侧上的该多个第五掺杂区是分别耦接至一阳极与一阴极。

6.一种半导体结构的操作方法，其中该半导体结构包括：

一第一掺杂区，具有一第一导电型；

一第二掺杂区，围住该第一掺杂区并具有相反于该第一导电型的一第二导电型；

一第三掺杂区，具有该第一导电型；

一第四掺杂区，具有该第二导电型；以及

一第一栅结构，位于该第二掺杂区上，其中该第三掺杂区与该第四掺杂区分别位于该第一栅结构的相反侧上的该第二掺杂区与该第一掺杂区中，

该半导体结构的操作方法包括：

施加一第一偏压至该第一栅结构；

将该第四掺杂区是耦接至一第一电极，该第一电极是一阳极与一阴极其中之一；以及

将该第二掺杂区与该第三掺杂区耦接至一第二电极，该第二电极是该阳极与该阴极其中之另一。

7.根据权利要求6所述的半导体结构的操作方法，其中该半导体结构更包括一第五掺杂区具有该第一导电型并包围该第二掺杂区，其中该半导体结构的操作方法更包括将该第五掺杂区位于该第二掺杂区的相对侧上的部分分别耦接至该第一电极与该第二电极。

8.根据权利要求7所述的半导体结构的操作方法，其中该半导体结构更包括：

一掺杂接触区，具有该第一导电型，其中该第二掺杂区介于该第五掺杂区与该掺杂接触区之间；以及

一第二栅结构，位于该第五掺杂区邻近该掺杂接触区的部分上，其中该半导体结构的操作方法更包括：

施加一第二偏压至该第二栅结构；

将该第五掺杂区耦接至该第一电极；以及

将该掺杂接触区耦接至该第二电极。

9.根据权利要求6所述的半导体结构的操作方法，其中该半导体结构更包括：

一第五掺杂区，具有该第一导电型；

一第六掺杂区，具有该第二导电型；

一掺杂接触区，具有该第一导电型并位于该第六掺杂区中；以及

一第二栅结构，位于该第五掺杂区与该掺杂接触区之间的该第六掺杂区上，其中该半导体结构的操作方法更包括：

施加一第二偏压至该第二栅结构；

将该第五掺杂区耦接至该第一电极；以及

将该掺杂接触区与该第六掺杂区耦接该第二电极。

10.根据权利要求6所述的半导体结构的操作方法，其中该半导体结构更包括多个第五掺杂区，具有该第一导电型，并分别位于该第二掺杂区的相反侧上，其中该半导体结构的操作方法更包括将该多个第五掺杂区分别耦接至该第一电极与该第二电极。