[发明专利]半导体器件无效
| 申请号： | 201210515002.5 | 申请日： | 2012-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN103178046A | 公开（公告）日： | 2013-06-26 |
| 发明（设计）人： | 田代浩子;石塚刚 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L27/092 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 顾晋伟;董文国 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体器件，其包括半导体电路和电容器，该电容器包括：第一导电型第一半导体区域、设置在第一导电型第一半导体区域上并且具有比第一导电型第一半导体区域高的第一导电型杂质浓度的第一导电型第二半导体区域、设置在第一导电型第二半导体区域上的第二导电型半导体区域、设置在第二导电型半导体区域上的介质膜、设置在介质膜上的上电极、设置在第二导电型半导体区域上方并且电连接至第二导电型半导体区域的第一互连、以及电连接至上电极的第二互连。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：半导体电路；以及电容器，所述电容器包括：第一导电型第一半导体区域，第一导电型第二半导体区域，所述第二半导体区域设置在所述第一导电型第一半导体区域上并且具有比所述第一导电型第一半导体区域高的第一导电型杂质的浓度，设置在所述第一导电型第二半导体区域上的第二导电型半导体区域，设置在所述第二导电型半导体区域上的介质膜，设置在所述介质膜上的上电极，设置在所述第二导电型半导体区域上方并且电连接至所述第二导电型半导体区域的第一互连，以及电连接至所述上电极的第二互连。
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