[发明专利]半导体结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201210397791.7 | 申请日： | 2012-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN103779212B | 公开（公告）日： | 2016-11-16 |
| 发明（设计）人： | 尹海洲;蒋葳;朱慧珑 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/08 |
| 代理公司： | 北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙) 11370 | 代理人： | 朱海波;何平 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体结构的制造方法，包括：提供SOI衬底(200)，所述衬底从下至上依次包括基底层(201)、绝缘埋层(202)和表面有源层(203)；在所述衬底上形成栅堆叠；去除所述栅堆叠两侧的表面有源层(203)以及部分绝缘埋层(202)，形成开口(240)；在所述开口(240)中填充半导体材料，形成源/漏区(250)。相应地，本发明还提供了一种半导体结构。本发明通过将源/漏区延伸至衬底绝缘埋层中，在降低源漏串联电阻的同时，不会造成栅极和源漏之间的寄生电容增大。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构的制造方法，该方法包括以下步骤：a)提供SOI衬底(200)，所述衬底从下至上依次包括基底层(201)、绝缘埋层(202)和表面有源层(203)；b)在所述衬底上形成栅堆叠；c)去除所述栅堆叠两侧的表面有源层(203)以及部分绝缘埋层(202)，形成开口(240)，其中，先刻蚀表面有源层(203)，再刻蚀绝缘埋层(202)，并停止在绝缘埋层(202)中；d)在所述开口(240)中填充半导体材料，形成源/漏区(250)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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