[发明专利]一种发光二极管芯片及其制作方法无效
| 申请号： | 201210358562.4 | 申请日： | 2012-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN102881785A | 公开（公告）日： | 2013-01-16 |
| 发明（设计）人： | 吴继清;张建宝 | 申请（专利权）人： | 华灿光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/04 | 分类号： | H01L33/04;H01L33/10;H01L33/12;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 430223 湖北省*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管芯片及其制作方法，属于半导体技术领域。该芯片包括衬底以及依次层叠在衬底上的n型层、多量子阱层和p型层，芯片上设有从p型层刻蚀到n型层的凹槽，凹槽内的n型层上设有n型焊盘，p型层上设有p型焊盘，p型层和凹槽内的n型层上设有钝化层，n型焊盘和p型焊盘穿过钝化层，其中，钝化层包括依次层叠在p型层和凹槽内的n型层上的第一层和第二层，其中，第一层为Al2O3层，第二层为SiO2层、SiNx层或SiONx层。本发明通过上述技术方案，保证了芯片的防潮抗沾污能力好，增大了出光效率，且Al2O3层可以有效降低凹槽内的n型层刻蚀后的表面缺陷密度，从而降低了漏电。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 芯片 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管芯片，所述芯片包括衬底以及依次层叠在所述衬底上的n型层、多量子阱层和p型层，所述芯片上设有从所述p型层刻蚀到所述n型层的凹槽，所述凹槽内的所述n型层上设有n型焊盘，所述p型层上设有p型焊盘，所述p型层和所述凹槽内的n型层上设有钝化层，所述n型焊盘和所述p型焊盘穿过所述钝化层，其特征在于，所述钝化层包括依次层叠在所述p型层和所述凹槽内的n型层上的第一层和第二层，其中，所述第一层为Al2O3层，所述第二层为SiO2层、SiNx层或SiONx层。
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