[发明专利]一种发光二极管芯片及其制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种发光二极管芯片及其制作方法。

背景技术

发光二极管是一种半导体固体发光器件，其直接可以将电能转化为光能，且可以通过调节晶体结构使其发出不同颜色的光，与传统光源相比其优势明显。目前，发光二极管已广泛用于显示屏、背光源、照明、车灯等领域。发光二极管芯片为半导体晶片，是发光二极管的核心组件。

发光二极管芯片包括衬底和外延层，外延层包括依次生长在衬底上的n型层、MQWs（Multiple Quantum Wells，多量子阱）层和p型层，外延层上设有从p型层刻蚀到n型层的凹槽，凹槽内的n型层上设有n型焊盘，p型层上设有p型焊盘。由于外延片在刻蚀后会形成大量缺陷，这些缺陷会导致漏电流的产生，为了降低漏电流，一般会在p型层和凹槽内的n型层上设有钝化层。

在实现本发明的过程中，发明人发现现有技术至少存在以下问题：

现有的钝化层通常为单层的SiO₂层或是单层的Al₂O₃层；当为单层的SiO₂层时，由于SiO₂结构较为疏松，防潮抗沾污能力较差，芯片在使用时会漏电，芯片的稳定性较差；当为单层的Al₂O₃层时，由于Al₂O₃的出光临界角度比较小，降低了芯片的发光效率。

发明内容

为了解决现有技术的问题，本发明实施例提供了一种发光二极管芯片及其制作方法。所述技术方案如下：

一方面，本发明实施例提供了一种发光二极管芯片，所述芯片包括：

衬底以及依次层叠在所述衬底上的n型层、多量子阱层和p型层，所述芯片上设有从所述p型层刻蚀到所述n型层的凹槽，所述凹槽内的所述n型层上设有n型焊盘，所述p型层上设有p型焊盘，所述p型层和所述凹槽内的n型层上设有钝化层，所述n型焊盘和所述p型焊盘穿过所述钝化层，其中，所述钝化层包括依次层叠在所述p型层和所述凹槽内的n型层上的第一层和第二层，其中，所述第一层为Al₂O₃层，所述第二层为SiO₂层、SiN_x层或SiON_x层。

优选地，所述p型层和所述第一层之间还设有所述纳米铟锡金属氧化物电流扩散层。

优选地，所述第一层的厚度为5-10nm。

优选地，所述第二层的厚度为50-100nm。

优选地，所述n型焊盘和所述p型焊盘由Cr/Pt/Au制成。

另一方面，本发明实施例还提供了一种发光二极管芯片的制作方法，所述方法包括：

在衬底上依次层叠生长n型层、多量子阱层和p型层；

刻蚀掉部分所述p型层和所述多量子阱层，以使部分所述n型层裸露出来；

在裸露出来的所述n型层上形成n型焊盘，在所述p型层上形成p型焊盘；

在所述p型层和裸露出来的所述n型层上生长钝化层；

其中，所述在所述p型层和裸露出来的所述n型层上生长钝化层包括：

在所述p型层和裸露出来的所述n型层上依次层叠生长第一层和第二层，其中，所述第一层为Al₂O₃层，所述第二层为SiO₂层、SiN_x层或SiON_x层。

优选地，在所述裸露出来的所述n型层上形成n型焊盘，在所述p型层上形成p型焊盘之前，所述方法还包括：

在所述p型层上沉积纳米铟锡金属氧化物电流扩散层；

则，所述在所述p型层和裸露出来的所述n型层上依次层叠生长第一层和第二层具体包括：

在所述纳米铟锡金属氧化物电流扩散层和裸露出来的所述n型层上依次层叠生长所述第一层和所述第二层。

优选地，所述第一层的厚度为5-10nm。

优选地，所述第二层的厚度为50-100nm。