[发明专利]芯片叠层结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201210322729.1 | 申请日： | 2012-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN103681610B | 公开（公告）日： | 2017-05-10 |
| 发明（设计）人： | 陈士弘 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538;H01L21/768 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种芯片叠层结构及其制造方法。该芯片叠层结构包括一第一芯片、一第二芯片及一垂直导线；第二芯片设置于第一芯片之上；垂直导线电性连接第一芯片及第二芯片；垂直导线设置于第一芯片及第二芯片的投影范围之外。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种芯片叠层结构，包括：一第一芯片；一第二芯片，设置于该第一芯片之上；一垂直导线，电性连接该第一芯片及该第二芯片，该垂直导线设置于该第一芯片及该第二芯片的投影范围之外；一第一水平导线，连接该第一芯片及该垂直导线；一第二水平导线，连接该第二芯片及该垂直导线；一第一衬底，该第一芯片设置于该第一衬底上，该第一水平导线设置于该第一衬底内；一第一绝缘层，覆盖该第一衬底及该第一芯片；一第二衬底，该第二芯片设置于该第二衬底上，该第二水平导线设置于该第二衬底内；以及一第二绝缘层，覆盖该第二衬底及该第二芯片，其中该第一衬底及该第二衬底的材质为一硅材料、一高分子材料或一二氧化硅材料，该第一绝缘层及该第二绝缘层的材质为一高分子材料或一二氧化硅材料。
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