[发明专利]芯片叠层结构及其制造方法

权利要求书

1.一种芯片叠层结构，包括：

一第一芯片；

一第二芯片，设置于该第一芯片之上；

一垂直导线，电性连接该第一芯片及该第二芯片，该垂直导线设置于该第一芯片及该第二芯片的投影范围之外；

一第一水平导线，连接该第一芯片及该垂直导线；

一第二水平导线，连接该第二芯片及该垂直导线；

一第一衬底，该第一芯片设置于该第一衬底上，该第一水平导线设置于该第一衬底内；

一第一绝缘层，覆盖该第一衬底及该第一芯片；

一第二衬底，该第二芯片设置于该第二衬底上，该第二水平导线设置于该第二衬底内；以及

一第二绝缘层，覆盖该第二衬底及该第二芯片，其中该第一衬底及该第二衬底的材质为一硅材料、一高分子材料或一二氧化硅材料，该第一绝缘层及该第二绝缘层的材质为一高分子材料或一二氧化硅材料。

2.根据权利要求1所述的芯片叠层结构，其中该垂直导线贯穿该第二绝缘层、该第二衬底及该第一绝缘层。

3.根据权利要求1所述的芯片叠层结构，其中该第一衬底的尺寸等于该第二衬底的尺寸、该第一绝缘层的尺寸及该第二绝缘层的尺寸。

4.一种芯片叠层结构的制造方法，包括：

提供一第一芯片；

提供一第二芯片；

叠层该第一芯片及该第二芯片；以及

形成一垂直导线，以电性连接该第一芯片及该第二芯片，该垂直导线设置于该第一芯片及该第二芯片的投影范围之外；

其中，提供该第一芯片的步骤包括：提供一第一衬底；形成一第一水平导线于该第一衬底内；设置该第一芯片于该第一衬底上，该第一芯片连接该第一水平导线；以及覆盖一第一绝缘层于该第一衬底及该第一芯片上；

提供该第二芯片的步骤包括：提供一第二衬底；形成一第二水平导线于该第二衬底内；设置该第二芯片于该第二衬底上，该第二芯片连接该第二水平导线；以及覆盖一第二绝缘层于该第二衬底及该第二芯片上；

形成该垂直导线的步骤包括：刻蚀该第二绝缘层、该第二衬底及该第一绝缘层，以形成一垂直孔；以及填充一导电材料于该垂直孔内，以形成该垂直导线。