[发明专利]芯片叠层结构及其制造方法有效
申请号: | 201210322729.1 | 申请日: | 2012-09-04 |
公开(公告)号: | CN103681610B | 公开(公告)日: | 2017-05-10 |
发明(设计)人: | 陈士弘 | 申请(专利权)人: | 旺宏电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/538 | 分类号: | H01L23/538;H01L21/768 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人: | 任岩 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 芯片 结构 及其 制造 方法 | ||
技术领域
本发明是有关于一种叠层结构及其制造方法,且特别是有关于一种芯片叠层结构及其制造方法。
背景技术
随着半导体技术的发展,各式半导体元件不断推陈出新。半导体元件例如是存储器、微处理器、感应芯片或微机电元件等。不同的半导体元件可以达成不同的功能。各种半导体元件设置于封装衬底后,透过封装技术而形成一半导体封装结构。每一半导体封装结构再焊接于印刷电路板后,以使这些半导体元件能够发挥其功能。
在电子产品的市场潮流追求「轻、薄、短、小」的趋势下,电子产品的体积越来越小。为了缩小电子产品的体积,封装技术也不断的在进步,以缩小半导体封装结构的体积。
发明内容
本发明是有关于一种芯片叠层结构及其制造方法,其利用芯片的投影范围以外的垂直导线来形成芯片叠层结构。
根据本发明的一方面,提出一种芯片叠层结构,该芯片叠层结构包括一第一芯片、一第二芯片及一垂直导线;第二芯片设置于第一芯片之上;垂直导线电性连接第一芯片及第二芯片;垂直导线设置于第一芯片及第二芯片的投影范围之外。
根据本发明的另一方面,提出一种芯片叠层结构的制造方法,该芯片叠层结构的制造方法包括以下步骤:提供一第一芯片;提供一第二芯片;叠层第一芯片及第二芯片;形成一垂直导线,以电性连接第一芯片及第二芯片;垂直导线设置于第一芯片及第二芯片的投影范围之外。
为让本发明的上述内容能更明显易懂,下文特举各种实施例,并配合所附图式,作详细说明如下:
附图说明
图1绘示一芯片叠层结构的示意图。
图2绘示另一芯片叠层结构的示意图。
图3绘示另一芯片叠层结构的两层构造的细部构造图。
图4A~图4K绘示芯片叠层结构的制造方法的示意图。
图5绘示图4A~图4D的步骤采用晶圆级工艺的示意图。
图6绘示另一芯片叠层结构的示意图。
图7绘示另一芯片叠层结构的示意图。
图8绘示另一芯片叠层结构的示意图。
图9A~图9F绘示图8的芯片叠层结构的制造方法的流程图。
【主要元件符号说明】
100、200、300、400、500、600:芯片叠层结构
110、210、310、510、610:第一芯片
120、220、320、520、620:第二芯片
130、330、430、531、532、533、534、535、536、630:垂直导线
240:散热板
311、611:第一衬底
311b:待切割区域
312、612:第一水平导线
312a、622a:凹槽
313、613:第一绝缘层
321:第二衬底
322、622:第二水平导线
323、623:第二绝缘层
330a、430a、630a:垂直孔
351、352、651、652:图案化光刻胶层
530:第三芯片
A11、A31:芯片区
A12、A32:导线区
S31、S32、S61、S62:构造
具体实施方式
以下是提出各种实施例进行详细说明,其利用芯片的投影范围以外的垂直导线来形成芯片叠层结构。然而,实施例仅用以作为范例说明,并不会限缩本发明欲保护的范围。此外,实施例中的图式是省略部份元件,以清楚显示本发明的技术特点。
第一实施例
请参照图1,其绘示一芯片叠层结构100的示意图。芯片叠层结构100包括至少二芯片(例如是一第一芯片110及一第二芯片120)及至少一垂直导线(例如是垂直导线130)。第二芯片120设置于第一芯片110之上。垂直导线130电性连接第一芯片110及第二芯片120。垂直导线130设置于第一芯片110及第二芯片120的投影范围之外。
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