[发明专利]发光二极管器件及其制作方法在审
申请号: | 201210308844.3 | 申请日: | 2012-08-28 |
公开(公告)号: | CN102800800A | 公开(公告)日: | 2012-11-28 |
发明(设计)人: | 林素慧;庄家铭;彭康伟;洪灵愿;郑建森;其他发明人请求不公开姓名 | 申请(专利权)人: | 安徽三安光电有限公司 |
主分类号: | H01L33/64 | 分类号: | H01L33/64;H01L33/50;H01L33/62 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 241000 安徽*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本发明公开了一种发光二极管器件及其制作方法,其通过在至少包括两个发光外延单元的发光外延结构的底面和顶面分别设置第一导电基板和第二透光性导电结构,形成高密度排列的无正负金属电极的增加出光的发光二极管,可以有效地取出发光层发出的光线,减少金属电极的吸光现象,增加出光效率,降低热阻,延长发光二极管的使用寿命,并节省封装材料和简化工艺流程。 | ||
搜索关键词: | 发光二极管 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
发光二极管器件,包括:发光外延结构,其至少包括两个发光外延单元,每个发光外延单元包括第一半导体层、发光层和第二半导体层;第一导电基板,形成于所述第一半导体层上,用于连接电源负极;第二透光性导电基板,形成于所述第二半导体层上,用于连接电源正极。
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