[发明专利]发光二极管器件及其制作方法

权利要求书

1.发光二极管器件，包括：

发光外延结构，其至少包括两个发光外延单元，每个发光外延单元包括第一半导体层、发光层和第二半导体层；

第一导电基板，形成于所述第一半导体层上，用于连接电源负极；

第二透光性导电基板，形成于所述第二半导体层上，用于连接电源正极。

2. 根据权利要求1所述的发光二极管器件，其特征在于：所述第一导电基板为透光性基板，从而形成全方位出光的发光二极管。

3.根据权利要求2所述的发光二极管器件，其特征在于：所述第一导电基板由透明基板和透明导电层组成。

4.根据权利要求1所述的发光二极管器件，其特征在于：所述第一导电基板为反射性基板。

5.根据权利要求4所述的发光二极管器件，其特征在于：所述第一导电基板由散热基板和反射层构成。

6.根据权利要求1所述的发光二极管器件，其特征在于：所述第二透光性导电基板由透明基板和透明导电层构成。

7.根据权利要求3或6所述的发光二极管器件，其特征在于：所述透明基板选自透明玻璃、透明柔性塑料或纳米陶瓷。

8.根据权利要求3或6所述的发光二极管器件，其特征在于：所述透明导电层的材料选自氧化铟锡、氧化锌、铟掺杂氧化锌、铝掺杂氧化锌、镓掺杂氧化锌中的一种或其组合。

9.根据权利要求2或3所述的发光二极管器件，其特征在于：所述第一导电基板含有荧光粉。

10.根据权利要求1所述的发光二极管器件，其特征在于：所述第二透光性导电基板含有荧光粉。

11.发光二极管器件的制作方法，其包括步骤：

1）提供一生长基板，在其上生长一整体发光外延层，发光外延层从下至上依次包含第一半导体层、发光层、第二半导体层；

2）将所述整体发光外延层分隔成若干个间隔排列的发光外延单元；

3）在所述若干个间隔排列的发光外延单元上形成第二导电基板，用于连接电源正极；

4）去除所述生长基板，裸露出间隔排列的发光外延单元的第一半导体层；

5）在所述间隔排列的发光外延单元的第一半导体层上形成第一透光性导电基板结构，用于连接电源负极。

12.根据权利要求11所述的发光二极管器件的制作方法，其特征在于：所述生长基板材料选自蓝宝石、碳化硅、硅、氮化镓、磷化镓中的一种或其组合。