[发明专利]半导体集成电路制造的方法有效
| 申请号： | 201210288951.4 | 申请日： | 2012-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN103426821A | 公开（公告）日： | 2013-12-04 |
| 发明（设计）人： | 解子颜;张铭庆;黄渊圣;戴铭家;陈昭成 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体集成电路(IC)的制造方法。所述方法包括接收半导体器件，图案化第一硬掩模以在高电阻器(Hi-R)堆叠件中形成第一凹槽，去除所述第一硬掩模，在所述Hi-R堆叠件中形成第二凹槽，在所述Hi-R堆叠件中的第二凹槽中形成第二硬掩模。然后，可通过第二硬掩模和栅极沟槽蚀刻在半导体衬底中形成Hi-R。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 集成电路 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种用于制造半导体集成电路(IC)的方法，所述方法包括：接收半导体器件，所述半导体器件包括：具有场效应晶体管(FET)区域和高电阻器(Hi‑R)区域的半导体衬底；在所述FET区域中的具有第一硬掩模的伪栅极堆叠件，以及在所述Hi‑R区域中的具有所述第一硬掩模的Hi‑R堆叠件；图案化所述第一硬掩模以形成第一凹槽；去除所述第一硬掩模；在所述Hi‑R堆叠件中形成第二凹槽；在所述Hi‑R堆叠件中的所述第二凹槽中形成第二硬掩模；以及在所述第二硬掩模的任一侧实施栅极沟槽蚀刻，从而形成Hi‑R。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
