[发明专利]半导体存储装置及其ID 码及上位地址写入方法有效
| 申请号： | 201210285411.0 | 申请日： | 2012-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN103377684A | 公开（公告）日： | 2013-10-30 |
| 发明（设计）人： | 小川晓;仲家睦哉 | 申请（专利权）人： | 力晶科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C5/02 | 分类号： | G11C5/02;G11C17/14;G11C16/22 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 史新宏 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明披露了半导体存储装置及其ID码及上位地址写入方法。快闪存储器的半导体芯片D1～DN层迭而呈多芯片封装（MCP），每个半导体芯片D1～DN包括用以储存ID码与上位地址的快闪存储器的存储单元阵列。ID码于组装处理前写入存储单元阵列20的熔丝数据区20F。根据本发明，ID码与上位地址可以被分配且简单地写入多芯片封装中的每个半导体芯片，而相比于现有技术不增加半导体芯片尺寸。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 及其 id 上位 地址 写入 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体存储装置，与其他半导体存储装置层迭而形成多芯片封装，该半导体存储装置包括：非易失性存储构件，储存ID码与上位地址，其中该ID码在组装处理前写入该非易失性存储构件。
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