[发明专利]多重图形化的掩膜层及其形成方法无效
| 申请号： | 201210260386.0 | 申请日： | 2012-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN103578931A | 公开（公告）日： | 2014-02-12 |
| 发明（设计）人： | 洪中山;吴汉明 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/033 | 分类号： | H01L21/033;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种多重图形化的掩膜层及其形成方法，其中，所述多重图形化的掩膜层，包括：半导体衬底，位于所述半导体衬底上的待刻蚀材料层；位于待刻蚀材料层表面的若干分立的侧墙，所述侧墙做为多重图形化的掩膜层，所述侧墙的一侧的侧壁表面为弧形，所述侧墙的另一侧的侧壁表面包括上部分侧壁表面和下部分侧壁表面，下部分侧壁表面垂直于半导体衬底表面，上部分侧壁表面向侧壁的弧形表面的一侧倾斜。上部分侧壁表面向侧壁的弧形表面的一侧倾斜，使得侧墙两侧侧壁的形貌差异性减小。 | ||
| 搜索关键词： | 多重 图形 掩膜层 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种多重图形化的掩膜层的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成待刻蚀材料层；在所述待刻蚀材料层表面形成第一牺牲层；刻蚀所述第一牺牲层，形成若干分立的牺牲栅极；在牺牲栅极两侧的侧壁形成侧墙，所述侧墙远离牺牲栅极的表面呈弧形；在所述待刻蚀材料层表面形成第二牺牲层，所述第二牺牲层的表面与牺牲栅极的表面齐平；去除部分厚度的所述牺牲栅极，形成凹槽，所述凹槽暴露部分侧墙，暴露的部分侧墙为上部分侧墙，未暴露的另一部分侧墙为下部分侧墙；去除凹槽暴露的上部分侧墙的一部分，使得剩余的上部分侧墙的侧壁沿凹槽的底部向凹槽两侧倾斜；去除第二牺牲层和剩余的牺牲栅极，所述剩余的上部分侧墙和下部分侧墙构成多重图形化的掩膜层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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