[发明专利]半导体装置的制造方法以及半导体制造装置

摘要

本发明涉及半导体装置的制造方法以及半导体制造装置，提供一种具备遮光部的形成工序而能够实现成品率的提高的半导体装置的制造方法，其中该遮光部在对形成在晶片的外缘上的负性抗蚀剂利用曝光显影处理来形成预定的图案的情况下，进一步防止曝光光线对位于晶片的外缘上的负性抗蚀剂供给。该制造方法具有：准备在晶片（1）的表面上依次形成有导电层（2）以及负性抗蚀剂（3）的晶片（5）的工序；在晶片（5）的外缘的至少一部分横跨负性抗蚀剂（3）的表面上和侧面地涂敷遮光材料（32）的工序；对负性抗蚀剂（3）进行曝光的工序；除去遮光材料（32）的工序；以及对负性抗蚀剂（3）进行显影的工序。

主权项

一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具有如下工序：准备在晶片的表面上依次形成有导电层以及负性抗蚀剂的第一晶片；横跨所述第一晶片的外缘的至少一部分的所述负性抗蚀剂的表面上和侧面地涂敷遮光材料；对所述负性抗蚀剂进行曝光；除去所述遮光材料；对所述负性抗蚀剂进行显影。