[发明专利]半导体装置的制造方法以及半导体制造装置

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具有如下工序：

准备在晶片的表面上依次形成有导电层以及负性抗蚀剂的第一晶片；

横跨所述第一晶片的外缘的至少一部分的所述负性抗蚀剂的表面上和侧面地涂敷遮光材料；

对所述负性抗蚀剂进行曝光；

除去所述遮光材料；

对所述负性抗蚀剂进行显影。

2.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述遮光材料具备吸收曝光光线的带隙。

3.如权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述遮光材料具备对365nm～436nm的波长区域吸收光的带隙。

4.如权利要求1至3中任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

对所述负性抗蚀剂的曝光通过以下方式进行：经由形成有预定的图案的矩形的中间掩模图案多次向所述负性抗蚀剂投影所述预定的图案。

5.如权利要求4所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

利用所述负性抗蚀剂的显影将所述负性抗蚀剂除去，按照利用所述中间掩模图案投影到所述负性抗蚀剂的所述预定的图案使导电层露出，并且，按照所述遮光材料使所述导电层露出，之后，将按照所述遮光材料露出的所述导电层作为电镀用电极，在按照利用所述中间掩模图案投影到所述负性抗蚀剂的所述预定的图案使导电层露出的部位，利用电镀法形成电极。

6.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

在所述第一晶片的所述负性抗蚀剂上形成有能够使曝光光线透过的保护膜，

所述制造方法具有在对所述负性抗蚀剂曝光后且在所述负性抗蚀剂的显影前除去所述保护膜的工序。

7.如权利要求6所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述遮光材料的涂敷以横跨所述第一晶片的外缘的至少一部分的所述负性抗蚀剂的表面上的所述保护膜的表面和所述第一晶片的侧面的方式进行。

8.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，该半导体装置的制造方法使用了具有如下晶片载置台的半导体制造装置：具备载置所述第一晶片的载置面，通过所述载置面的表面的重心并且连结所述载置面的两端部的直线中最长的第一直线比在所述载置面上载置的晶片的直径的长度短，该半导体装置的制造方法的特征在于，

在涂敷所述遮光材料的工序之前，具有以所述第一晶片的外缘从所述载置面的端部突出的方式将所述第一晶片配置在所述载置面上的工序。

9.如权利要求8所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述半导体制造装置具备能够供给所述遮光材料并且能够进行驱动的遮光材料供给部，

在涂敷所述遮光材料的工序之前，将所述遮光材料供给部的配置调整到能够在所述第一晶片的外缘的至少一部分横跨所述负性抗蚀剂的表面上和侧面地涂敷遮光材料的位置。

10.如权利要求9所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述遮光材料供给部的配置根据在所述载置面上配置的所述第一晶片的位置信息来进行。

11.如权利要求8所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

具备能够供给从所述载置面的中心侧流向端部侧的空气的送风机构，

在涂敷所述遮光材料的工序中，从晶片的下方对涂敷有所述遮光材料的所述晶片的外缘供给从所述载置面的中心侧流向端部侧的空气。

12.如权利要求11所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述送风机构能够根据所述晶片在所述载置面上的位置信息和所述遮光材料供给部的位置信息进行移动。

13.如权利要求8所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

具备能够吸引外部气体的吸引机构，

在涂敷所述遮光材料的工序中，利用所述吸引机构从吸引孔与所述载置面为同一平面并且与所述载置面分离的位置对涂敷所述遮光材料的所述晶片的外缘的周围的外部气体进行吸引。

14.如权利要求13所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述吸引机构能够根据所述晶片在所述载置面上的位置信息和所述遮光材料供给部的位置信息进行移动。