[发明专利]半导体装置的制造方法以及半导体制造装置

说明书

技术领域

本发明涉及具备形成遮光部的工序的半导体装置的制造方法以及能够进一步提高利用该制造方法形成的半导体装置的成品率的半导体制造装置，其中该遮光部在对形成在晶片上的负性抗蚀剂特别是位于晶片的外缘上的负性抗蚀剂利用曝光显影处理来形成预定的图案的情况下，进一步防止对在晶片的外缘上形成的负性抗蚀剂供给曝光光线。

背景技术

例如，在专利文献1中公开了在晶片上形成电镀用电极的方法。在图9中概略地示出专利文献1所公开的电镀用电极形成方法。首先，在晶片100的整个面依次形成导电层110和负性抗蚀剂120，在晶片的外缘上的负性抗蚀剂120上形成遮光部130。接着，经由形成有预定的图案的中间掩模图案（reticle pattern）对负性抗蚀剂120进行曝光。最后，在除去了遮光部130后进行显影处理。由此，在负性抗蚀剂120上形成所希望的图案，并且，使位于在晶片100的外缘的负性抗蚀剂120上形成有遮光部130的区域的下方的导电层110露出，由此，形成所希望的电镀用电极。

专利文献1：日本特开2005-5462号公报。

在专利文献1公开的发明中，如上述那样利用油墨印刷在位于晶片100的外缘上的负性抗蚀剂120上形成有遮光部130。但是，在该结构中，在对负性抗蚀剂120进行曝光时，曝光光线有时从晶片100的侧面方向绕入到遮光部130之下的负性抗蚀剂120。因此，在照射了曝光光线的部位对显影液为不溶性或难溶性的负性抗蚀剂的特性上，存在难以在对负性抗蚀剂120进行显影时按照想要的图案使导电层110露出，难以形成所希望的电镀用电极的问题。另外，并不限于形成电镀用电极的情况，在具备形成遮光部的工序的半导体装置的制造方法中，曝光光线从该晶片的侧面绕入成为严重的问题，其中，上述遮光部在对位于晶片的外缘上的负性抗蚀剂利用曝光显影处理来形成预定的图案的情况下，防止对位于晶片的外缘上的负性抗蚀剂供给曝光光线。

发明内容

因此，本发明解决上述问题，提供一种具备遮光部的形成工序而能够实现成品率的提高的半导体装置的制造方法以及能够进一步提高利用该制造方法形成的半导体装置的成品率的半导体制造装置，其中该遮光部在对形成在晶片的外缘上的负性抗蚀剂利用曝光显影处理来形成预定的图案的情况下，进一步防止曝光光线从晶片侧面绕入到位于晶片的外缘上的负性抗蚀剂。

本发明提供一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具有如下工序：准备在晶片的表面上依次形成有导电层以及负性抗蚀剂的第一晶片；在所述第一晶片的外缘的至少一部分横跨所述负性抗蚀剂的表面上和侧面地涂敷遮光材料；对所述负性抗蚀剂进行曝光；除去所述遮光材料；对所述负性抗蚀剂进行显影。

本发明的半导体制造装置具有晶片载置台，该晶片载置台具备载置晶片的载置面，该半导体制造装置的特征在于，通过所述载置面的表面的重心并且连结所述载置面的两端部的直线中最长的第一直线比在所述载置面上载置的晶片的直径的长度短。

根据本发明的半导体装置的制造方法，由于横跨负性抗蚀剂的表面上和侧面地涂敷遮光材料，所以，在对第一晶片的外缘的负性抗蚀剂利用曝光显影处理来形成预定的图案的情况下，能够进一步防止曝光光线从晶片的侧面绕入到位于第一晶片的外缘的负性抗蚀剂。因此，在半导体装置的制造中能够谋求进一步提高成品率。

另外，根据本发明的半导体制造装置，由于采用通过载置面的表面的重心并且连结该载置面的两端部的直线中最长的第一直线比在该载置面上载置的晶片的直径的长度短的结构，所以，即使在进行以晶片的外缘相对于该载置面突出的方式在该载置面配置晶片并横跨上述的负性抗蚀剂的表面上和侧面地涂敷遮光材料的工序的情况下，所涂敷的遮光材料也会沿着晶片的侧面向地面方向滴落，因此能够减少绕入到晶片背面的可能性。因此，在之后的曝光工序中，引起在遮光材料绕入到晶片的背面的状态下将晶片配置在曝光装置的载置面的情况下假定的、曝光光线相对于负性抗蚀剂的焦点发生偏移的问题的可能性减少。因而，能够进一步提高利用本发明的半导体装置的制造方法形成的半导体装置的成品率。

附图说明

图1是概略地表示本发明的第一实施方式的半导体制造装置的立体图。

图2是概略地表示从遮光材料供给部30对晶片5涂敷遮光材料的状态的图。

图3是从晶片5的表面侧观察涂敷遮光材料32后的晶片5的俯视图。

图4是概略地表示使用中间掩模图案40对负性抗蚀剂3进行曝光的工序的俯视图。

图5是概略地表示本发明的第二实施方式的半导体制造装置的立体图。